| 发明名称 | 半导体发光元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供发光效率高、减少了发热的半导体发光元件。该半导体发光元件的特征在于具备：第1半导体层(3)；配置在第1半导体层上的折射率比第1半导体层(3)小的发光层(4)；配置在发光层(4)上的折射率比发光层(4)小的第2半导体层(5)；连接到第1半导体层(3)和第2半导体层(5)的向发光层(4)供给电流的金属电极(6a)、(6b)。 | ||
| 申请公布号 | CN1941438A | 申请公布日期 | 2007.04.04 |
| 申请号 | CN200610141243.2 | 申请日期 | 2006.09.29 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 铃木真理子;小野富男;酒井忠司;佐久间尚志;吉田博昭 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 李峥;于静 |
| 主权项 | 1.一种半导体发光元件，其特征在于，具备：第1半导体层；配置在上述第1半导体层上的折射率比上述第1半导体层小的发光层；配置在上述发光层上的折射率比上述发光层小的第2半导体层；连接到上述第1半导体层和上述第2半导体层的向上述发光层供给电流的金属电极。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||