| 发明名称 | 等离子体生成装置 | ||
| 摘要 | 在以绝缘性材料形成的流道上设置剖面面积比该流道的剖面面积小得多的狭小部，在向该流道和狭小部中注满导电性液体之后，向该狭小部施加电场以使电场通过上述狭小部，在上述狭小部生成等离子体的等离子体生成方法和元素分析方法。在以绝缘性材料形成的流道上设置剖面面积比该流道的剖面面积小得多的狭小部，并设置用来向上述狭小部施加电场以使电场通过该狭小部的单元的等离子体生成装置和具有上述等离子体生成装置的发光光谱分析装置。 | ||
| 申请公布号 | CN1942755A | 申请公布日期 | 2007.04.04 |
| 申请号 | CN200580009515.7 | 申请日期 | 2005.03.25 |
| 申请人 | 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 | 发明人 | 高村禅;饭塚亚纪子;民谷荣一 |
| 分类号 | G01N21/71(2006.01) | 主分类号 | G01N21/71(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 浦柏明;刘宗杰 |
| 主权项 | 1.一种等离子体生成方法，其在以绝缘性材料形成的流道上设置剖面面积比该流道的剖面面积小得多的狭小部，在向该流道和狭小部中注满导电性液体之后，向该狭小部施加电场以使电场通过上述狭小部，在上述狭小部生成等离子体。 | ||
| 地址 | 日本石川县 | ||