非挥发性记忆体及其制造方法

摘要

一种非挥发性记忆体的制造方法。首先提供已形成有多数个隔离结构的基底，这些隔离结构突出于基底表面，且隔离结构之间的基底上已形成有第一罩幕层。接着于基底上形成一层第二罩幕层。之后图案化第二罩幕层与第一罩幕层，形成多数个开口，开口暴露出部分基底表面与隔离结构表面。继而于基底上形成穿隧介电层与第一导体层。第一导体层填入开口，且使隔离结构、第二罩幕层与第一罩幕层将第一导体层分隔成区块状。然后于基底上形成一闸间介电层。再于基底上形成第二导体层，填满开口。之后于第二导体层两侧之基底中形成多数个掺杂区。