| 主权项 |
1.一种具有微型天线之晶片尺寸封装构造,包含: 一晶片,其系具有一主动面、一第一焊垫及一第二 焊垫,该第一焊垫与该第二焊垫系形成于该主动面 ; 一第一介电层,其系形成于该晶片之该主动面,该 第一介电层系具有一上表面,该第一介电层系具有 复数个开孔,以显露该第一焊垫与该第二焊垫,该 些开孔系具有一开口扩张之倾斜侧壁;及 一天线,其系形成于该第一介电层之该上表面并藉 由该些开孔之倾斜侧壁连接该第一焊垫与该第二 焊垫。 2.如申请专利范围第1项所述之具有微型天线之晶 片尺寸封装构造,其中该些倾斜侧壁与该晶片之该 主动面之夹角系介于30至70之间。 3.如申请专利范围第1项所述之具有微型天线之晶 片尺寸封装构造,其中该第一介电层之厚度系介于 10至30m之间。 4.如申请专利范围第1项所述之具有微型天线之晶 片尺寸封装构造,其另包含有一第二介电层,其系 形成于该第一介电层上,以密封该天线。 5.如申请专利范围第4项所述之具有微型天线之晶 片尺寸封装构造,其中该第二介电层系填充该些开 孔内。 6.如申请专利范围第4项所述之具有微型天线之晶 片尺寸封装构造,其中该第二介电层系具有与该第 一介电层相同之材质。 7.如申请专利范围第1项所述之具有微型天线之晶 片尺寸封装构造,其中该第一介电层之材质系选自 于苯环丁烯(Benzocyclobutene, BCB)、聚亚醯胺(polyimide) 与感光性聚亚醯胺(photosensitive polyimide)之其中之 一。 8.如申请专利范围第1项所述之具有微型天线之晶 片尺寸封装构造,其中在该第一介电层之该上表面 与该些开孔之倾斜侧壁之连接处系为弧角。 9.如申请专利范围第8项所述之具有微型天线之晶 片尺寸封装构造,其中该天线系延伸于该些弧角处 而形成一弧形弯角。 10.一种具有微型天线之晶片尺寸封装构造之制造 方法,包含: 提供一晶片,该晶片系具有一主动面、一第一焊垫 及一第二焊垫,该第一焊垫与该第二焊垫系形成于 该主动面; 形成一第一介电层于该晶片之该主动面,该第一介 电层系具有一上表面; 在该第一介电层形成复数个开孔,以显露该第一焊 垫与该第二焊垫,该些开孔系具有一开口扩张之倾 斜侧壁; 沉积一金属层于该第一介电层之该上表面,该金属 层并覆盖该些开孔之倾斜侧壁、该第一焊垫与该 第二焊垫;及 选择性蚀刻该金属层,以形成一天线,该天线系形 成于该第一介电层之该上表面并藉由该些开孔之 倾斜侧壁连接该第一焊垫与该第二焊垫。 11.如申请专利范围第10项所述之具有微型天线之 晶片尺寸封装构造一之制造方法,其中该些倾斜侧 壁与该晶片之该主动面之夹角系介于30至70之间 。 12.如申请专利范围第10项所述之具有微型天线之 晶片尺寸封装构造之制造方法,其中该第一介电层 之厚度系介于10至30m之间。 13.如申请专利范围第10项所述之具有微型天线之 晶片尺寸封装构造之制造方法,其中在选择性蚀刻 该金属层之步骤后,另包含:形成一第二介电层于 该第一介电层上,以密封该天线。 14.如申请专利范围第13项所述之具有微型天线之 晶片尺寸封装构造之制造方法,其中在形成该第二 介电层之步骤后,另包含:全面曝光显影该第二介 电层。 15.如申请专利范围第13项所述之具有微型天线之 晶片尺寸封装构造之制造方法,其中该第二介电层 系填充该些开孔内。 16.如申请专利范围第13项所述之具有微型天线之 晶片尺寸封装构造之制造方法,其中该第二介电层 系具有与该第一介电层相同之材质。 17.如申请专利范围第10项所述之具有微型天线之 晶片尺寸封装构造之制造方法,其中该第一介电层 之材质系选自于苯环丁烯(Benzocyclobutene, BCB)、聚 亚醯胺(polyimide)与感光性聚亚醯胺(photosensitive polyimide)之其中之一。 18.如申请专利范围第10项所述之具有微型天线之 晶片尺寸封装构造之制造方法,其中在该第一介电 层之上表面与该些开孔之倾斜侧壁之连接处系为 弧角。 19.如申请专利范围第18项所述之具有微型天线之 晶片尺寸封装构造之制造方法,其中该天线系延伸 于该弧角处而形成一弧形弯角。 20.如申请专利范围第10项所述之具有微型天线之 晶片尺寸封装构造之制造方法,其中该些开孔之形 成方式系为对该第一介电层进行非接触之近接曝 光(proximity exposure)。 21.如申请专利范围第20项所述之具有微型天线之 晶片尺寸封装构造之制造方法,其中在近接曝光中 使用之光罩系与该晶片维持一30至300m之距离。 22.如申请专利范围第10项所述之具有微型天线之 晶片尺寸封装构造之制造方法,其中该金属层系以 溅镀(sputter)、PVD(Physical Vapor Deposition,物理气相沉 积)与CVD(Chemical Vapor Deposition,化学气相沉积)之其 中之一方法形成。 23.如申请专利范围第10项所述之具有微型天线之 晶片尺寸封装构造之制造方法,其中在选择性蚀刻 该金属层之步骤中,其系先形成一光阻层于该金属 层,该光阻层系填充该些开孔内。 24.如申请专利范围第23项所述之具有微型天线之 晶片尺寸封装构造之制造方法,其中在选择性蚀刻 该金属层之步骤中,曝光显影该光阻层,以图案化 显露该金属层。 25.如申请一专利范围第23项所述之具有微型天线 之晶片尺寸封装构造之制造方法,其中该光阻层之 厚度系介于5至15m之间。 26.如申请专利范围第10项所述之具有微型天线之 晶片尺寸封装构造之制造方法,其中该第一介电层 系以旋涂(spin coating)方式形成。 27.如申请专利范围第10项所述之具有微型天线之 晶片尺寸封装构造之制造方法,其中该晶片系构成 于一晶圆中。 图式简单说明: 第1图:习知具有天线之半导体元件构造之截面示 意图; 第2图:依本发明之一种具有微型天线之晶片尺寸 封装构造之截面示意图;及 第3A至3G图:依本发明之该具有微型天线之晶片尺 寸封装构造之制造方法,一晶片在制造过程中之截 面示意图。 |
