发明名称 薄膜磁头、磁头万向架组件以及硬盘装置
摘要 作为本发明,在本发明中的磁阻效应膜的至少软磁性层的两个端部配置有一对偏移磁场施加层,该偏移磁场施加层用于通过磁性基底层来向软磁性层提供纵向偏移磁场,磁性基底层与偏移磁场施加层二者相重合的面上的彼此的晶格结点间距实质上相吻合,因此,可使偏移磁场施加层的面内方向(平行于膜面的方向)的顽磁力Hc维持高水平,即便是在以间隔更短、磁道更窄为目标的场合,也能够发挥施加有效偏移磁场的作用。即,发挥抑制巴克豪森噪声的产生的作用。
申请公布号 CN1306475C 申请公布日期 2007.03.21
申请号 CN200410061756.3 申请日期 2004.06.30
申请人 TDK株式会社 发明人 清水友晶;岛泽幸司;田中浩介;照沼幸一
分类号 G11B5/39(2006.01) 主分类号 G11B5/39(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 胡强
主权项 1.一种薄膜磁头,具备包括磁阻效应膜的磁阻效应元件,其特 征是, 所说磁阻效应膜是包含下述层的多层膜:非磁性层,形成于非磁 性层的一个面上的强磁性层,形成于非磁性层的另一个面上的软磁性 层,为了钉扎所说强磁性层的磁化朝向而与强磁性层的单面、即与非 磁性层相接触的面之相反一侧的面相接触地形成的钉扎层, 在所说磁阻效应膜的至少软磁性层的两个端部配置有一对偏移 磁场施加层,该偏移磁场施加层用于通过磁性基底层来向软磁性层提 供纵向偏移磁场, 所说磁性基底层,是Mo的含量为5~15at%的FeCoMo,并且具有 六面体立方晶系晶体结构,其等轴的晶格常数用a表示, 所说偏移磁场施加层是CoPt、CoCrPt、CoCrTa、或者、含有它 们的合金,并且具有六方柱六方晶系晶体结构,其六边形平面内的晶 格常数用b表示、且六方柱高度方向上的晶格常数用c表示, 成膜使得横跨构成磁性基底层的4个晶格的、边长为a的正方 形的面S1与构成偏移磁场施加层的c轴方向的约为正方形的面S2相 重合,将a的值与(b+c)/2的值之比设定在0.995~1.005 的范围内,以使得所说磁性基底层与所说偏移磁场施加层相重合的面 上的彼此的晶格结点间距相吻合。
地址 日本东京都
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