微流动注射式化学发光芯片的制备方法

摘要

一种微流动注射式化学发光芯片的制备方法，以硅片、聚二甲级硅氧烷(PDMS)、SU－8光刻胶为原料，应用标准微制造工艺制作出相应的微通道和接口。以标准光刻工艺制作模具结构，再用模塑浇铸和固化工艺成型微芯片结构，最后以不可逆封装实现微通道的封闭。通过连续性或间歇性的样品注入方式，可以实现微量、超微量液体的快速混合和反应。使用该芯片检测过程具有制作工艺简单可靠、制造成本低、检测灵敏度高、样品试剂进样和消耗量少、发光重现性好等优点。

主权项

1、一种微流动注射式化学发光芯片的制备方法，其特征在于：1)硅片表面清洗：首先清洗去除硅片表面的油污和吸附的各种杂质颗粒；2)硅片表面疏水改性处理：将清洗后的硅片放入质量浓度为98％的硫酸和双氧水的混合溶液中处理10～20分钟，混合溶液按H2SO4∶H2O2＝3～5∶1的质量比混合；3)匀胶：将感光胶SU-8滴加在疏水改性后的硅片上，在500rpm～800rpm下匀胶6s～15s，然后再在2500rpm～3000rpm下进行20～30s后在硅片上形成一厚度为150～180um的均匀胶层；4)前烘：将匀胶完成的硅片放入烘箱内，将烘箱温度升至60～65℃，烘烤4～10分钟，再在70～75℃下保温3～8分钟，然后升温至90～95℃并保持50～70分钟；5)曝光：将需要制作的微通道图案印制在透明薄膜上，用此透明薄膜作为光刻用的掩模板(3)，采用紫外光对硅片上的SU-8感光胶层进行曝光，得到所需要的图案；6)后烘：将曝光后的硅片置于烘箱中，将烘箱温度升至60～65℃，烘烤4～10分钟，再在70～75℃下保温3～8分钟，然后升温至90～95℃并保持50～70分钟，再降温至75～80℃保温50～60分钟，最后自然冷却；7)显影和漂洗：将冷却后的硅片先置于超声波搅拌的SU-8显影液中5～8秒，然后在丙酮溶液中继续显影10～12分钟，将显影后的硅片置入异丙醇溶液中漂洗3～5分钟，再用去离子水冲洗干净得到SU-8模具；8)PDMS胶除气：将PDMS胶与其相应的固化剂按10∶1的质量比混合后，置入真空腔体内抽真空1～2分钟，然后放气30～40秒，反复操作多次达到良好的排气效果；9)浇注和固化：将除气后的PDMS胶与其相应的固化剂的混合液浇注在SU-8模具上，并加压成型，然后将该模具置于烘箱内在90～95℃下烘烤40～50分钟，完成固化；10)脱模，将固化后的PDMS胶和固化剂层从SU-8模具上揭下，得到带有微流动通道的基片(1)；11)基板的制作：将PDMS胶与其相应的固化剂按10∶1的质量比混合后，置入真空腔体内抽真空除气；将除气后的混合液浇注制成平面基板(2)，将平面基板(2)置于烘箱内在90～95℃下烘烤40～50分钟，完成固化；12)等离子表面氧化处理：将需要封装的平面基板(2)和制得的基片(1)置于等离子腔中，等离子氧化处理1～2分钟；13)粘合封装：将氧化处理完成后的基片(1)和基板(2)对准并夹紧后置入烘箱中在80～85℃下保温30～40分钟即可。