| 主权项 |
1.一种半导体元件制造方法,包含下列步骤; 在蚀刻标的层之上,形成一当作硬式遮罩之绝缘层 ; 在绝缘层之上,至少形成一牺牲层; 在该牺牲层之上,形成一光阻图案; 藉由以光阻图案当作蚀刻遮罩,形成一牺牲硬式遮 罩; 藉由以牺牲硬式遮罩当作蚀刻遮罩,蚀刻该绝缘层 ,形成硬式遮罩;及 藉由使用该牺牲硬式遮罩和硬式遮罩当作蚀刻遮 罩,蚀刻该蚀刻标的层,形成预定数量之图案,其中, 该光阻图案系以氟化物系光源所形成,且该牺牲硬 式遮罩系由金属或金属的氧化物所形成,与硬式遮 罩相较,对于氟化物系气体,其光阻图案具有较高 的蚀刻选择比。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该蚀刻标的层 系绝缘层,而预定数量之图案为接触孔洞图案。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中该蚀刻标的层 系传导层,而预定数量之图案为字元线,位元线或 金属线。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中光阻图案系以 氟氩(ArF)光源或氟(F2)光源形成。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中该牺牲硬式遮 罩系在蚀刻该蚀刻标的层之步骤移除。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中该牺牲层系自 由铝(Al)层,钨(W)层,WSix层,WN层,钛(Ti)层,TiN层,TiSix层 ,TiAlN层,TiSiN层,铂(Pt)层,铱(Ir)层,IrO2层,钌(Ru)层,RuO2 层,银(Ag)层,金(Au)层,钴(Co)层,TaN层,CrN层,CoN层,MoN层 ,MoSix层,Al2O3层,AlN层,PtSix层和CrSix层所组成之群组 至少选择其中之一层所形成的,而其中x系1到2。 7.如申请专利范围第1项之方法,其中该蚀刻标的层 系氧化物系层,而用以当作硬式遮罩之该绝缘层系 氮化物系层。 8.如申请专利范围第1项之方法,其中该蚀刻标的层 和该牺牲层系由相同的材料所形成的 9.如申请专利范围第8项之方法,其中用以当作硬式 遮罩之该绝缘层系氧化物系层或氮化物系层。 10.如申请专利范围第6项之方法,其中该牺牲层包 含钨(W),而用以蚀刻该牺牲层之由六氟化硫(SF6)/氮 气(N2)混合的电浆,其混合比之范围介于约0.10到0.60 之间。 11.如申请专利范围第6项之方法,其中该牺牲层包 含多晶矽或钛(Ti),而且氯系气体被用以当作主要 蚀刻气体,而可以加入氧气或碳氟化合物(CF)气体, 以控制蚀刻纵深。 12.如申请专利范围第6项之方法,其中该牺牲层至 少包含选择自由铂(Pt)铉(Ir)和钌(Ru)所组成之群组 的其中之一金属,而且使用氯系或CF系气体当作主 要蚀刻气体。 13.如申请专利范围第9项之方法,在形硬式遮罩之 步骤,该绝缘层系用CF气体蚀刻。 14.一种半导体元件制造方法,包含下列步骤: 在蚀刻标的层之上,形成用以当作硬式遮罩之绝缘 层; 在用以当作硬式遮罩之绝缘层之上,至少形成一牺 牲层; 在该牺牲层之上,形成一抗反射层; 在该抗反射涂层之上,形成光阻图案; 藉由以该光阻图案当作蚀刻遮罩,蚀刻该抗反射层 和该牺牲层,形成牺牲硬式遮罩; 藉由以该牺牲硬式遮罩当作蚀刻遮罩,蚀刻该绝缘 层形成硬式遮罩;及 藉由以该牺牲硬式遮罩和该硬式遮罩当作蚀刻遮 罩,蚀刻该蚀刻标的层,形成预定数量之图案。 15.如申请专利范围第14项之方法,其中系以氯系或 碳氟化合物(CF)系气体蚀刻该抗反射层。 16.如申请专利范围第14项之方法,其中光阻图案系 以氟氩(ArF)光源或氟(F2)光源形成。 17.如申请专利范围第14项之方法,其中该蚀刻标的 层和该牺牲层系由相同的材料所形成的。 18.如申请专利范围第14项之方法,其中该牺牲硬式 遮罩系在蚀刻该蚀刻标的层之步骤移除。 19.如申请专利范围第14项之方法,其中该牺牲层系 自由多晶矽层,铝(Al)层,钨(W)层,WSix层,WN层,钛(Ti)层 ,TiN层,TiSix层,TiAlN层,TiSiN层,铂(Pt)层,铱(Ir)层,IrO2层 ,钌(Ru)层,RuO2层,银(Ag)层,金(Au)层,钴(Co)层,TaN层,CrN 层,CoN层,MoN层,MoSix层,Al2O3层,AlN层,PtSix层和CrSix层 所组成之群组至少选择其中之一层所形成的,而其 中x系1到2。 20.如申请专利范围第14项之方法,其中该蚀刻标的 层系氧化物系层,而用以当作硬式遮罩之该绝缘层 系氮化物系层。 图式简单说明: 第1图为KrF光阻和F2或ArF光阻之化学结构; 第2A图到第2D图为根据本发明第一实施例,使用F2或 ArF光源,在半导体元件中形成图案之制程的横截面 图;及 第3A图到第3D图为根据本发明第二实施例,使用F2或 ArF光源,在半导体元件中形成图案之制程的横截面 图。 |
