| 主权项 |
1.一种在一反应器壳体(1,2,3)之反应室(4)中的基板 上沉积薄膜之方法,该反应室底部由一可控温之基 板座(5)构成,该基板座可绕其垂直轴(6)被驱动旋转 ,顶部由一进气机构(7)构成,该进气机构平行于反 应室底部,其筛孔状气体流出孔(8)构成一涵盖整个 基板座(5)基板承载面(9)的气体流出面(10),反应气 体由该气体流出面被输送入反应室(4)中,其特征为 ,由基板承载面(9)与气体流出面(10)距离(H)所定义 的反应室高度可在沉积制程开始及/或进行时被改 变。 2.一种在一反应器壳体(1,2,3)之反应室(4)中的基板 上沉积薄膜之装置,该反应室底部由一可控温之基 板座(5)构成,该基板座可绕其垂直轴(6)被驱动旋转 ,顶部由一进气机构(7)构成,该进气机构平行于反 应室底部,其筛孔状气体流出孔(8)构成一涵盖整个 基板座(5)基板承载面(9)的气体流出面(10),反应气 体由该气体流出面被输送入反应室(4)中,其特征为 ,由基板承载面(9)与气体流出面(10)距离(H)所定义 的反应室高度可调整。 3.如申请专利范围第2项之装置,其中,反应室高度(H )可在反应室壳体(1,2,3)关闭时改变。 4.如申请专利范围第3项之装置,其中,在可气密密 封的反应器壳体(1,2,3)上设调整反应室高度(H)的间 隔件(11)。 5.如申请专利范围第3项之装置,其中,基板座(5)可 相对于反应器壳体底部(3)及/或侧壁(2)移动。 6.如申请专利范围第2项之装置,其中,进气机构(7) 与反应器壳体盖板(1)固定连接。 7.如申请专利范围第4项之装置,其中,间隔件(11)设 在反应器壳体底部(3)及/或侧壁(2)上,且尤其为一 铁流体提升装置等之螺杆传动装置(12,13,14)。 8.如申请专利范围第3项之装置,其中,基板座(5)下 方的加热装置(15)可与基板座(5)一起进行高度调整 。 9.如申请专利范围第3项之装置,其中,以最大高度 侧向包围基板座(5)及反应室(4)的排气环(16)可与基 板座(5)一起进行高度调整。 10.如申请专利范围第3项之装置,其中,基板座(5)与 加热装置(15)及/或排气环(16)一起被弹簧(20)支撑, 该弹簧(20)在反应器壳体可被盖板(1)密封的开口方 向上有一预应力,盖板(1)关闭时基板座可藉设在盖 板上的可调整间隔件(11)而调整高度。 11.如申请专利范围第3项之装置,其中,设在盖板上 的间隔件(11)为一间隔环(21)或一被一螺杆(22)操作 之压缩环(23),该压缩环与承载排气环(16)的载板(17) 及排气环(16)互相作用。 12.如申请专利范围第11项之装置,其中,反应器壳体 盖板(1)开启时载板(17)或基板座(5)之一挡肩(18)抵 靠一设在壳体上的制动件(19)。 图式简单说明: 图1系本发明第一实施例之截面示意图,其中间隔 件是螺杆传动装置。 图2系本发明第二实施例之截面示意图,其中间隔 件是间隔环,其固定在反应器壳体盖板上。 图3系本发明第二实施例之截面示意图,其中间隔 件同样设在反应器壳体盖板上,且可由反应器壳体 外部被调整。 |
