| 发明名称 | 半导体元件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体元件及其形成方法，该半导体元件包括：一导体图案；一L形间隙壁，包括一垂直部分及一水平部分，该垂直部分置于该导体图案的较低侧壁上，露出该导体图案的上层侧壁；以及一顶部间隙壁，置于该L形间隙壁上，其中该L形间隙壁的该垂直部分对于该顶部间隙壁的宽度比至少约2∶1。本发明提供一种简单且易控制间隙壁来增加金属硅化物形成的面积，所形成的间隙壁可降低因侧壁蚀刻所产生的底切，不会增加间隙壁制程的复杂度，只需改变绝缘层的厚度比即可达成本发明。 | ||
| 申请公布号 | CN1925167A | 申请公布日期 | 2007.03.07 |
| 申请号 | CN200610003590.9 | 申请日期 | 2006.02.15 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 郑光茗;郑钧隆;庄学理 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L29/423(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1.一种半导体元件，其特征在于，该半导体元件包括：一导体图案；一L形间隙壁，包括一垂直部分及一水平部分，该垂直部分置于该导体图案的较低侧壁上，露出该导体图案的上层侧壁；以及一顶部间隙壁，置于该L形间隙壁上，其中该L形间隙壁的该垂直部分对于该顶部间隙壁的宽度比至少为2∶1。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 | ||