氮化物只读存储器的制造方法

摘要

本发明提供一种氮化物只读存储器的制造方法，并将氮化物只读存储器与外围逻辑电路的工艺步骤整合，以简化工艺并提高产品合格率。本发明技术的特征在于利用多晶硅层做为绝缘层(氧化层)的研磨停止层(Polishing stoplayer)。本发明技术的另一特征为在形成绝缘层(氧化层)于外围区域的多个第一沟槽的同时也填入所述氧化层于内存数组区域中的多晶硅结构间以防止半导体基材于多晶硅的自行对准硅化物步骤中与金属(例如：钴)发生反应。本发明技术的再一特征为利用成长ONO介电层于浅沟槽内侧，以防止浅沟槽的边角凹陷及防止浅沟槽在后续加热过程中导致的浅沟槽轮廓变形所产生的错位。

主权项

1.一种氮化物只读存储器的制造方法，包括下列步骤：提供半导体基材，所述基材表面包含有存储区域及外围区域；成长垫氧层于所述半导体基材上；于所述存储区域内的所述垫氧层上形成具有多个第一开口的第一掩模图案，以作为多条纵向排列的位线掩模；于所述半导体基材中进行离子注入工艺，注入掺杂物于未被所述位线掩模覆盖的存储单元区域中以形成多条纵向且平行的埋藏式位线；去除所述位线掩模；以及形成第二掩模图案于所述垫氧层上，其中第二掩模图案具有多个第二开口于所述外围区域中；沿上述第二开口选择性蚀刻所述半导体基材而形成多个第一沟槽及一第二沟槽于所述外围区域；去除所述第二掩模图案及所述垫氧层；于所述半导体基材表面形成ONO介电层，以覆盖所述存储区域及所述外围区域；沉积多晶硅层于所述ONO介电层上以填充所述多个第一及所述第二沟槽；选择性蚀刻所述多晶硅层以于所述存储区域中形成多个正交于位线的多晶硅结构作为字线，且同时于所述外围区域中移除填充于所述多个第一沟槽的多晶硅，并留下填充于第二沟槽的多晶硅；以及于所述外围区域的多个第一沟槽及所述存储区域的字线间形成绝缘层。