| 发明名称 | 高电阻率碳化硅单晶体及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提供一种高电阻率碳化硅衬底，具有适于后续器件如高频器件制造的电性能和结构质量，以便该器件可以显示出稳定的和线性的特性；以及提供一种高电阻率碳化硅衬底，具有低密度的结构缺陷和基本上受控的均匀径向分布的电阻率。 | ||
| 申请公布号 | CN1302518C | 申请公布日期 | 2007.02.28 |
| 申请号 | CN02821597.4 | 申请日期 | 2002.10.28 |
| 申请人 | 诺斯泰尔股份公司 | 发明人 | 艾利克山德尔·埃利森;古彦·T.·桑;卓恩·麦格纳森;埃里克·简森 |
| 分类号 | H01L21/04(2006.01);C30B29/36(2006.01) | 主分类号 | H01L21/04(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1、一种在25℃下具有至少105Ω·cm的电阻率的半绝缘碳化硅单晶体，包含：至少一种深杂质；和至少一种深本征缺陷，其中通过补偿浅施主或浅受主，所述至少一种深杂质的浓度足以影响晶体的电阻率，但所述浓度低于深本征缺陷的浓度。 | ||
| 地址 | 瑞典诺尔雪平 | ||