| 主权项 |
1.一种用于一半导体装置之导线架,该导线架包括: 一第一导线架部分,其有一周边定义一空穴,且复 数个导线从该周边向内延伸,其中该第一导线架部 分具有一第一厚度;以及 一附着于该第一导线架部分的第二导线架部分,该 第二导线架部分有一晶粒浆位于该第一导线架部 分的空穴内,其中该第二导线架部分具有一第二厚 度。 2.如申请专利范围第1项之导线架,其中该第二厚度 大于该第一厚度。 3.如申请专利范围第2项之导线架,其中该第一厚度 约为8 mil,而该第二厚度约为20 mil。 4.如申请专利范围第1项之导线架,其中该等第一及 第二导线架部分系由一金属或金属合金形成。 5.如申请专利范围第4项之导线架,其中该等第一及 第二导线架部分系由铜形成。 6.如申请专利范围第1项之导线架,其中该等第一及 第二导线架部分彼此电性绝缘。 7.一种用于一半导体装置之导线架,该导线架包括: 一第一导线架部分,其有一周边定义一空穴,且复 数个导线从该周边向内延伸,其中该第一导线架部 分具有一第一厚度; 一附着于该第一导线架部分的第二导线架部分,该 第二导线架部分有一晶粒浆位于该第一导线架部 分的空穴内,其中该第二导线架部分具有一第二厚 度,其约为该第一厚度的两倍;以及 其中该等第一及第二导线架部分系由铜形成,并且 彼此电性绝缘。 8.一种半导体装置,其包括: 一第一导线架部分,其有复数个导线包围一空穴, 其中该第一导线架部分具有一第一厚度; 一附着于该第一导线架部分的第二导线架部分,该 第二导线架部分有一晶粒浆位于该第一导线架部 分的空穴内,其中该第二导线架部分具有一第二厚 度; 一积体电路晶粒附着于该晶粒浆,该晶粒位于该空 穴中,并且该等复数个导线将其包围,该晶粒包含 复数个晶粒垫;以及 复数个线将该等晶粒垫中的各晶粒垫与相关的导 线中的各导线电性连接。 9.如申请专利范围第8项之半导体装置,其进一步包 含覆盖该积体电路晶粒的一顶部表面、该等线及 该等导线的一顶部表面的一封装材料;其中至少该 等导线的一底部表面及该第二导线架部分的一底 部表面曝露。 10.如申请专利范围第9项之半导体装置,其中该等 第一及第二导线架部分系由铜形成。 11.如申请专利范围第8项之半导体装置,其中该第 二厚度大于该第一厚度。 12.如申请专利范围第11项之半导体装置,其中该第 一厚度约为该第二厚度的一半。 13.如申请专利范围第8项之半导体装置,其中该等 第一及第二导线架部分彼此电性绝缘。 14.一种半导体装置,其包括: 一第一金属导线架部分,其有复数个导线包围一空 穴 ,其中该第一导线架部分具有一第一厚度; 一附着于该第一导线架部分并与之电性绝缘的第 二金属导线架部分,该第二导线架部分有一晶粒浆 位于空穴内,其中该第二导线架部分具有一大于该 第一厚度的第二厚度; 一积体电路晶粒附着于该晶粒浆,该晶粒位于该空 穴中,并且该等复数个导线将其包围,该晶粒包含 复数个晶粒垫; 复数个线将该等晶粒垫的各晶粒垫与相关的该等 导线中的各导线电性连接;以及 覆盖该积体电路晶粒的一顶部表面、该等线及该 等导线的一顶部表面的一封装材料;其中至少该等 导线的一底部表面及该第二导线架曝露。 15.如申请专利范围第14项之半导体装置,其中该等 第一及第二导线架部分系由铜形成。 16.一种包装一半导体装置之方法,其包括下列步骤 : 提供一第一导线架部分,其有一周边定义一空穴, 且复数个导线从该周边向内延伸,其中该第一导线 架部分具有第一及第二侧边及一第一厚度; 将一黏合剂应用于该第一导线架部分之一第一侧 边; 提供一包含一晶粒浆的第二导线架部分,其具有第 一及第二表面及一第二厚度; 将该半导体晶粒附着于该晶粒浆的该第二表面,其 中该半导体晶粒在其一表面上具有复数个焊垫; 将该第二导线架部分堆叠于该第一导线架部分上, 从而使该晶粒浆的该第一表面位于空穴内,并且接 触该黏合剂; 用复数个线将该等复数个晶粒焊垫与该等复数个 导线中的各导线电性连接; 在该第二导线架部分的该第二侧边、该半导体晶 粒、及该等电性连接上形成一模造化合物;以及 将该黏合剂从该第一导线架部分的第一侧边及第 二导线架部分的第一表面移除,使该等导线及该第 二导线架部分的第一表面曝露。 17.如申请专利范围第16项之包装一半导体装置之 方法,其中该电性连接步骤包括一焊线程序。 18.如申请专利范围第16项之包装一半导体装置之 方法,其中该第二厚度大于该第一厚度。 19.如申请专利范围第16项之包装一半导体装置之 方法,其中该第一厚度约为8 mil,而该第二厚度约为 20 mil。 20.如申请专利范围第16项之包装一半导体装置之 方法,其中该等第一及第二导线架部分系由一金属 或金属合金形成。 21.如申请专利范围第20项之包装一半导体装置之 方法,其中该等第一及第二导线架部分系由铜形成 。 22.如申请专利范围第16项之包装一半导体装置之 方法,其中该等第一及第二导线架部分彼此电性绝 缘。 23.如申请专利范围第16项之包装一半导体装置之 方法,其中该黏合剂应用步骤包括将一胶带应用于 该第一导线架部分的第一侧边。 24.如申请专利范围第16项之包装一半导体装置之 方法,其中该晶粒附着步骤包括用一焊膏将该晶粒 附着于该晶粒浆。 25.如申请专利范围第16项之包装一半导体装置之 方法,其中该晶粒附着步骤包括用环氧树脂将该晶 粒附着于该晶粒浆。 26.一种包装复数个半导体装置之方法,其包括下列 步骤: 提供一第一导线架面板,该第一导线架面板具有复 数个第一导线架部分,各有一周边定义一空穴,且 复数个导线从该周边向内延伸,其中该第一导线架 面板具有第一及第二侧边及一第一厚度; 沿着该第一导线架面板的一周边外形成一第一啮 合结构; 将一黏合剂应用于该第一导线架面板之一第一侧 边; 提供一第二导线架面板,该第二导线架面板包含复 数个第二导线架部分,各包含一晶粒浆,具有第一 及第二表面及一第二厚度; 沿着该第二导线架面板的一周边外形成一第二啮 合结构; 将复数个半导体晶粒附着于各该等晶粒浆的第二 表面,其中各半导体晶粒在其一表面上具有复数个 焊垫; 将该第二导线架面板堆叠于该第一导线架面板上, 从而使该等晶粒浆的第一表面位于该等空穴中的 各空穴内,并且接触该黏合剂,并且该等第一及第 二啮合结构彼此啮合; 用复数个线将该晶粒的复数个晶粒焊垫与各第一 导线架部分的复数个导线中的各导线电性连接; 在该第二导线架面板的第二表面、晶粒、及电性 连接上形成一模造化合物;以及 执行一切断操作,将该等复数个第一及第二导线架 部分从该等导线架面板分离,因此形成个别的包装 装置。 27.如申请专利范围第26项之包装复数个半导体装 置之方法,其进一步包括将该黏合剂从该第一导线 架面板的第一侧边及该等第二导线架部分的第一 表面移除之步骤,使该等导线及该等第二导线架部 分的第一表面曝露。 28.如申请专利范围第26项之包装复数个半导体装 置之方法,其中该电性连接步骤包括一焊线程序。 29.如申请专利范围第26项之包装复数个半导体装 置之方法,其中该第二厚度大于该第一厚度。 30.如申请专利范围第29项之包装复数个半导体装 置之方法,其中该第一厚度约为8 mil,而该第二厚度 约为20 mil。 31.如申请专利范围第26项之包装复数个半导体装 置之方法,其中该等第一及第二导线架面板系由一 金属或金属合金形成。 32.如申请专利范围第31项之包装复数个半导体装 置之方法,其中第一及第二导线架面板系由铜形成 。 33.如申请专利范围第26项之包装复数个半导体装 置之方法,其中该等第一及第二导线架部分彼此电 性绝缘。 34.如申请专利范围第33项之包装复数个半导体装 置之方法,其中该第一啮合结构包含一连串沟槽, 而该第二啮合结构包含一连串凸坝,其中当该等第 一及第二导线架面板堆叠时,该等一连串之凸坝的 各凸坝插入该等一连串之沟槽中的各沟槽。 35.如申请专利范围第34项之包装复数个半导体装 置之方法,其中该沟槽及凸坝结构在该模造化合物 形成步骤中防止模造化合物溢出。 36.一种半导体装置,其包括: 一第一金属导线架部分,其有复数个导线包围一空 穴,其中该第一导线架部分具有一第一厚度; 一附着于该第一导线架部分并与之电性绝缘的第 二金属导线架部分,该第二导线架部分有一对相邻 的晶粒浆位于该空穴内,其中该第二导线架部分具 有一大于该第一厚度的第二厚度; 第一及第二积体电路晶粒附着于各该等晶粒浆,该 等晶粒位于该空穴中,并且该等复数个导线将其包 围,该第一及第二晶粒各包含复数个晶粒垫; 复数个线将该第一及第二晶粒的各晶粒垫与相关 的导线中的各导线电性连接;以及 覆盖该第一及第二积体电路晶粒的一顶部表面、 该等线及该等导线的一项部表面的一封装材料;其 中至少该等导线的一底部表面及该第二导线架曝 露。 图式简单说明: 图1系依照本发明一项具体实施例的一包装半导体 装置之放大断面图; 图2系依照本发明一项具体实施例的一第一导线架 面板之俯视图; 图3系依照本发明一项具体实施例的一第二导线架 面板之俯视图; 图4A至4G系依照本发明一项具体实施例,显示形成 一双规格导线架半导体装置制程之断面侧视图;以 及 图5系依照本发明一项具体实施例的一包装半导体 装置之放大透视图。 |
