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发明名称
形成具有应力缓冲环之贯矽导孔的方法
摘要
一种形成一具有应力缓冲环的导孔之方法,其中该应力缓冲环可以吸收由于周遭材料之热膨胀系数不匹配所造成之应力。其他实施例也被描述与主张。
申请公布号
TW200707645
申请公布日期
2007.02.16
申请号
TW095123375
申请日期
2006.06.28
申请人
英特尔股份有限公司
发明人
里欧尼尔 亚拉纳;德凡卓拉 纳特卡尔;麦可 纽曼;查瑞 古鲁墨西
分类号
H01L21/768(2006.01)
主分类号
H01L21/768(2006.01)
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
美国
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