| 摘要 |
提供用于在一包括一基板层(126)、一有效层(128)及一至少部分安置于其间的第一牺牲层(130)的基板上在一高深宽比微机电(MEM)装置上形成宽沟槽及窄沟槽两者之方法。该方法包括以下步骤：在该有效层(128)中形成一第一沟槽(154)、一第二沟槽(156)及一第三沟槽(152)，每一沟槽(154、156、152)具有一开口及界定大体上相等的第一沟槽宽度之侧壁，在其上沈积氧化物及牺牲层并移除该氧化物及牺牲层以暴露该第三沟槽(152)，并由该第一及该第二沟槽(154、156)在该有效层(128)中形成一第四沟槽(190)，该第四沟槽(190)具有界定一较该第一沟槽宽度更大之第二沟槽宽度之侧壁。 |
