硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用

摘要

本发明涉及一种用于硫系化合物相变薄膜材料Ge_xSb_yTe_(1-x-y)化学机械抛光(CMP)的纳米抛光液及该化学机械抛光液在制备纳电子器件相变存储器中的应用。该CMP纳米抛光液包含有氧化剂、螯合剂、pH调节剂、纳米研磨料、抗蚀剂、表面活性剂及溶剂等。该抛光液损伤少、易清洗、不腐蚀设备、不污染环境，主要用于制造相变存储器关键材料Ge_xSb_yTe_(1-x-y)的CMP。利用上述抛光液采用化学机械抛光方法去除多余的相变薄膜材料Ge_xSb_yTe_(1-x-y)制备纳电子器件相变存储器，方法简单易行。

主权项

1.一种用于硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液，其特征在于纳米抛光液含有：(1)一种或两种氧化剂，其含量为0.5～20.0wt％；(2)至少一种螯合剂，其含量为0.1～10.0wt％；(3)一种或两种纳米研磨料，其含量为1.0～20.0wt％；(4)至少一种抗蚀剂，其含量为0.05～5.0wt％；(5)一种或两种表面活性剂，其含量为0.01～2.0wt％；(6)以及pH调节剂和作溶剂的去离子水，pH值为3～12；所述的氧化剂选自过氧化氢、过氧化氢脲、过硫酸铵或其任意两种混合物；所述的螯合剂选自乙二胺四乙酸铵、柠檬酸铵、羟乙基乙二胺四乙酸铵或其混合物；所述的纳米研磨料选自氧化铝、氧化锆、氧化钛、胶体二氧化硅任意一种或任意二种混合物，纳米研磨料平均粒径小于200纳米；所述的抗蚀剂选自苯并三唑、1，2，4-三唑或6-甲苯基三唑；所述的表面活性剂选自无金属离子的烷基醇聚氧乙烯基醚、烷基三甲基溴化铵、烷基磺酸铵中一种或任意二种混合物；所述的pH调节剂选自氨水、氢氧化钾、四甲基氢氧化铵、羟基胺中的任意一种或任意二种混合物。