| 发明名称 | 采用局部绝缘体上半导体制作半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 从体硅衬底(12)开始制作一种绝缘体上半导体晶体管(45)。有源区被限制在衬底(12)中，且单晶的富氧硅层形成于有源区的最顶层上。硅外延层生长在富氧硅层上。硅外延层形成后，富氧硅层转变成氧化硅(24)，同时至少一部分的外延层作为单晶硅残存。这是通过采用外延层高温水蒸气处理而实现。结果是一种应用于制作晶体管(45)的绝缘体上硅结构。在这种结构中，栅介质(26)位于残存的单晶硅上，栅(28)位于栅介质上，而且沟道位于栅(28)下面的残存的单晶硅中。 | ||
| 申请公布号 | CN1914718A | 申请公布日期 | 2007.02.14 |
| 申请号 | CN200580004047.4 | 申请日期 | 2005.01.12 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 马瑞斯·K.·奥罗斯基;奥拉姆本弥·O·艾德图图;亚历山大·L.·巴尔 |
| 分类号 | H01L21/36(2006.01);H01L21/469(2006.01);H01L21/473(2006.01);H01L21/4757(2006.01) | 主分类号 | H01L21/36(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1、一种方法，包括：提供具有有源区的衬底，该有源区具有顶部表面；在顶部表面上形成第一层，其中第一层包括富氧半导体材料层；在第一层上外延生长第二层，其中第二层包括半导体材料层；以及将第一层转变成半导体-氧化物层。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||