| 主权项 |
1.一种资讯储存媒体,适用于再生一资讯,该资讯是 记录成小于一入射光束之解析度的标记,该资讯储 存媒体包括: 一基底; 一超解析层,直接形成在该基底上,与该基底之间 没有任何夹层,藉由在入射光束聚焦的部分产生热 反应以再生该标记;以及 至少一记录层,用于吸收该入射光束的热量。 2.如申请专利范围第1项所述之资讯储存媒体,该标 记是形成在该基底上面的凹陷点。 3.如申请专利范围第1项或第2项所述之资讯储存媒 体,其中该超解析层是由选自下列金属氧化物中的 任何一种或高分子化合物材料所构成:铂氧化物, 钯氧化物,金氧化物和银氧化物。 4.如申请专利范围第1项所述之资讯储存媒体,其中 该记录层是由锗-锑-碲合金或者银-铟-锑-碲合金 所形成。 5.如申请专利范围第1项所述之资讯储存媒体,更包 括一介电层,设置在该超解析层和每一该记录层之 间,该记录层至少有一层。 6.一种资讯储存媒体,适用于再生一资讯,该资讯是 记录成小于一入射光束之解析度的标记,该资讯储 存媒体包括: 一基底;以及 一记录层,直接形成在该基底上,与基底之间没有 任何夹层,藉由在入射光束聚焦的部分产生热反应 以再生该标记。 7.如申请专利范围第6项所述之资讯储存媒体是一 个唯读资讯储存媒体。 8.如申请专利范围第6项或第7项所述之资讯储存媒 体,更包括一个形成在该记录层上的一超解析层, 并与该再生光束热反应。 9.如申请专利范围第8项所述之资讯储存媒体,该超 解析层可由选自下列金属氧化物中的任何一种材 枓或高分子化合物所形成:铂氧化物,钯氧化物,金 氧化物和银氧化物。 10.如申请专利范围第8项所述之资讯储存媒体,更 包括该超解析层上的另外一层记录层。 11.如申请专利范围第8项所述之资讯储存媒体,其 中该记录层是由锗-锑-碲合金或者银-铟-锑-碲合 金所形成。 12.如申请专利范围第8项所述之资讯储存媒体,更 包括一介电层,配置在该记录层和该超解析层之间 。 13.一种从资讯储存媒体再生资讯时防止再生特性 退化的方法,该资讯被记录成标记,该资讯储存媒 体包括:一基底,记录着小于一解析度的标记;一记 录层以及者一超解析层,其中该记录层和该超解析 层可再生该标记,该方法包括: 发出高于一预定温度的一光束至该基底,以在该记 录层和该超解析层上面产生一热反应;以及 藉由去除在该基底和该记录层之间,或者在该基底 和该超解析层之间阻碍该再生光束热量流动的夹 层,以从该基底排出该再生光束的热量。 14.如申请专利范围第13项所述之从资讯储存媒体 再生资讯时防止再生特性退化的方法,该记录层是 由锗-锑-碲合金或者银-铟-锑-碲合金所形成。 15.如申请专利范围第13项或第14项所述之从资讯储 存媒体再生资讯时防止再生特性退化的方法,该超 解析层可由选自下列金属氧化物中的任何一种材 料或高分子化合物来形成:铂氧化物,钯氧化物,金 氧化物和银氧化物。 图式简单说明: 图1A和图1B是本发明所提出的第一个实施例的剖面 图。 图2是本发明所提出的第二个实施例的剖面图。 图3A是本发明所提出的一种资讯储存媒体的剖面 图,其被形成用来测量追踪误差信号。 图3B是通常的资讯储存媒体,其有一层介电材料,其 被形成来测量追踪误差信号并与本发明所提出的 的资讯储存媒体进行比较。 图4A到图4E是本发明所提出的资讯储存媒体,藉由 改变再生光束的强度所测量到的追踪误差信号的 结果说明图。 图5A到图5E是通常的资讯储存媒体,藉由改变再生 光束的强度所测量到的追踪误差信号的结果说明 图。 图6是本发明所提出的的资讯储存媒体的记录和再 生系统的方块图。 |
