发明名称 非挥发性记忆体及其记忆格临限电压验证方法与半导体装置
摘要 一种非挥发性记忆体,其系包含多个记忆格、一位元线控制电路以及一验证电路。其中,位元线控制电路包含一驱动电路与一非驱动电路,而验证电路于驱动电路驱动记忆格时验证记忆格之一第一临限电压,并且尚可于驱动电路不驱动记忆格时验证一第二临限电压。
申请公布号 TW200705446 申请公布日期 2007.02.01
申请号 TW094125377 申请日期 2005.07.27
申请人 晶豪科技股份有限公司 发明人 陈宗仁
分类号 G11C16/34(2006.01) 主分类号 G11C16/34(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市科学园区工业东四路23号