发明名称 | 非挥发性记忆体及其记忆格临限电压验证方法与半导体装置 | ||
摘要 | 一种非挥发性记忆体,其系包含多个记忆格、一位元线控制电路以及一验证电路。其中,位元线控制电路包含一驱动电路与一非驱动电路,而验证电路于驱动电路驱动记忆格时验证记忆格之一第一临限电压,并且尚可于驱动电路不驱动记忆格时验证一第二临限电压。 | ||
申请公布号 | TW200705446 | 申请公布日期 | 2007.02.01 |
申请号 | TW094125377 | 申请日期 | 2005.07.27 |
申请人 | 晶豪科技股份有限公司 | 发明人 | 陈宗仁 |
分类号 | G11C16/34(2006.01) | 主分类号 | G11C16/34(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市科学园区工业东四路23号 |