| 摘要 |
本发明系一种半导体装置，其系包含：光电转换元件7，其输出与从外部入射之光信号对应之电性信号；内部电路9，其进行该电性信号之处理；信号端子1，其输入或输出信号至内部电路9；第1电位端子2，其供应第1电位电压至内部电路9；第2电位端子3，其供应比第1电位低之第2电位电压至内部电路9；设置第1保护元件4，其反向电性连接于信号端子1与第1电位间，至少包含一个PN接合；第2保护元件5，其反向电性连接于第1电位与第2电位间，至少包含一个PN接合；可提升对静电杂讯之耐受性，且可降低静电破坏与光电转换元件之误动作。 |
