| 主权项 |
1.一种流体喷射装置,包括: 一流体腔,至少由一侧壁结构层及一具有喷孔之上 盖结构层所形成,其中该上盖结构层覆盖于该侧壁 结构层上,该侧壁结构层与该上盖结构层之夹角大 于90;及 一流体通道,与该流体腔连通,以供应流体于该流 体腔。 2.如申请专利范围第1项所述之流体喷射装置,其中 该侧壁结构层与该上盖结构层之夹角介于90-150 。 3.如申请专利范围第1项所述之流体喷射装置,其中 该侧壁结构层与该上盖结构层之夹角介于110-130 。 4.如申请专利范围第1项所述之流体喷射装置,其中 该侧壁结构层与该上盖结构层之夹角介于120-130 。 5.如申请专利范围第1项所述之流体喷射装置,其中 该之流体腔之上壁系为一圆弧形。 6.如申请专利范围第1项所述之流体喷射装置,其中 该侧壁结构层系为倾斜。 7.一种流体喷射装置,包括: 一基底; 一侧壁结构层,位于该基底上,其中该侧壁结构层 包括一开口; 一具有喷孔之上盖结构层,覆盖于该侧壁结构层上 ,以于该开口处形成一流体腔,其中该流体腔之上 表面包括不同曲面之圆弧表面;及 一流体通道,位于该基底内以与该流体腔连通。 8.如申请专利范围第7项所述之流体喷射装置,其中 该侧壁结构层之开口处之侧壁系为倾斜。 9.如申请专利范围第7项所述之流体喷射装置,其中 该流体腔包括一位于该喷孔周围之喷孔区,一邻接 于该流体通道之流体入口区及一位于该喷孔区和 该流体入口区间之中段区,其中: 位于该喷孔区之之流体腔之上盖结构层大体上具 有一球面之表面; 位于该中段区之之流体腔之上盖结构层大体上为 具有一圆弧状顶部之通道;及 位于该流体入口区之之流体腔之上盖结构层,除了 邻接该侧壁结构层之开口的侧壁为一曲面,大体上 为一平面。 10.如申请专利范围第7项所述之流体喷射装置,其 中该侧壁结构层系为疏水材料所组成。 11.如申请专利范围第7项所述之流体喷射装置,其 中该侧壁结构层系为光阻或聚合物所组成。 12.如申请专利范围第11项所述之流体喷射装置,其 中该侧壁结构层系为负光阻所组成。 13.一种流体喷射装置之制造方法,包括: 提供一基底; 形成包括一开口之侧壁结构层于该基底上; 形成一图形化之牺牲层于该开口中; 加热该图形化之牺牲层,以使该图形化之牺牲层形 成一圆弧表面; 形成一上盖结构层于该牺牲层及该侧壁结构层上; 定义该上盖结构层,以形成一喷孔; 移除该牺牲层,以形成一流体腔;及 于相对于该上盖结构层之该基底的另一面,形成一 流体通道,连通该流体腔。 14.如申请专利范围第13项所述之流体喷射装置之 制造方法,其中在加热该图形化之牺牲层之后,于 该喷孔位置之夹角系介于90-150。 15.如申请专利范围第13项所述之流体喷射装置之 制造方法,其中在加热该图形化之牺牲层之后,该 侧壁结构层与该牺牲层之夹角系介于110-130。 16.如申请专利范围第13项所述之流体喷射装置之 制造方法,其中加热该图形化之牺牲层之温度大于 该牺牲层之玻璃转换温度(Glass Transition Temperature) 。 17.如申请专利范围第13项所述之流体喷射装置之 制造方法,其中该侧壁结构层之表面能低于该牺牲 层之表面能。 18.如申请专利范围第13项所述之流体喷射装置之 制造方法,其中该牺牲层系为高分子材料所组成。 19.如申请专利范围第13项所述之流体喷射装置之 制造方法,其中该侧壁结构层系为负光阻所组成, 该牺牲层系为正光阻所组成。 20.如申请专利范围第19项所述之流体喷射装置之 制造方法,其中该负光阻系为聚醯亚胺polymide。 21.如申请专利范围第13项所述之流体喷射装置之 制造方法,尚包括加热该侧壁结构层,使该侧壁结 构层之开口侧壁倾斜。 图式简单说明: 第1图显示一种习知之单石化的流体喷射装置。 第2A图~第2I图系揭示本发明一实施例流体喷射装 置之制造流程。 第3图系为本发明一实施例流体喷射装置之立体图 。 第2H图系为沿第3图I-I'剖面线之剖面图。 第2I图系为沿第3图II-II'剖面线之剖面图。 第4图系为沿第3图III-III'剖面线之剖面图。 |
