制作沟渠电容动态随机存取存储器元件的方法

摘要

本发明制作沟渠电容动态随机存取存储器元件的方法包括以下步骤：提供半导体衬底，于其上形成衬垫层；于衬垫层中形成第一开口；以衬垫层作为蚀刻掩模，经由第一开口在半导体衬底蚀刻出浅沟；于浅沟中填入绝缘材料，形成沟渠绝缘区域；于半导体衬底上形成掩模层，该掩模层具有第二开口，其暴露出部分沟渠绝缘区域以及部分衬垫层；以掩模层作为蚀刻掩模，经由第二开口蚀刻沟渠绝缘区域以及衬垫层，形成深沟渠；于深沟渠中形成深沟渠电容；进行热氧化工艺，使深沟渠电容的上部氧化成绝缘硅氧层；去除衬垫层，裸露出半导体衬底；于裸露出来的半导体衬底上形成栅极氧化层；以及于栅极氧化层上形成栅极，同时于绝缘硅氧层上形成穿越栅极。

主权项

1.一种制作沟渠电容动态随机存取存储器元件的方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底，于其上形成一衬垫层；于该衬垫层中形成一第一开口；以该衬垫层作为蚀刻掩模，经由该第一开口在该半导体衬底蚀刻出一浅沟；于该浅沟中填入一绝缘材料，形成一沟渠绝缘区域；于该半导体衬底上形成一掩模层，该掩模层具有至少一第二开口，其暴露出部分该沟渠绝缘区域以及部分该衬垫层；以该掩模层作为蚀刻掩模，经由该第二开口蚀刻该沟渠绝缘区域以及该衬垫层，形成至少一深沟渠；于该深沟渠中形成一深沟渠电容；进行热氧化工艺，使该深沟渠电容的上部氧化成一绝缘硅氧层；去除该衬垫层，裸露出该半导体衬底；于裸露出来的该半导体衬底上形成一栅极氧化层；以及于该栅极氧化层上形成一栅极，同时于该绝缘硅氧层上形成一穿越栅极。