| 主权项 |
1.一种用于微电子装置制造中之有机矽酸盐组合 物,包含一矽烷组合之水解或部分水解产物,该矽 烷组合包含: (a)50-95莫耳%下式矽烷 其中Ra为C1-C6亚烷基,C1-C6伸烷基,伸芳基或直接键; Ya为C1-C6烷基,C2-C6烯基,C2-C6炔基,C6-C20芳基,3-甲基 丙烯醯氧基,3-丙烯醯氧基,-SiZa2ORa'或-ORa';Ra'于各 次出现时分别为C1-C6烷基或C2-C6醯基;以及Za为C1-C6 烷基,C2-C6烯基,C2-C6炔基,C6-C20芳基或-ORa',但规定Za 或Ra-Ya组合中之至少一者包含一个非芳香族碳-碳 键未饱和度, (b)5至40莫耳% 其中Rb为C1-C6亚烷基,C1-C6伸烷基,伸芳基或直接键; Yb为C1-C6烷基,C2-C6烯基,C2-C6炔基,C6-C20芳基,3-甲基 丙烯醯氧基,3-丙烯醯氧基,-SiZb2ORb'或-ORb';Rb'于各 次出现时分别为C1-C6烷基或C2-C6醯基;以及Zb为C1-C6 烷基,C2-C6烯基,C2-C6炔基,C6-C20芳基或-ORb',但规定Zb 或Rb-Yb组合中之至少一者包含芳香环,以及 (c)0至45莫耳% 其中Rc为C1-C6亚烷基,C1-C6伸烷基,伸芳基或直接键; Yc为C1-C6烷基,C2-C6烯基,C2-C6炔基,C6-C20芳基,3-甲基 丙烯醯氧基,3-丙烯醯氧基,-SiZc2ORc'或-ORc';Rc'于各 次出现时分别为C1-C6烷基或C2-C6醯基;以及Zc为C1-C6 烷基,C2-C6烯基,C2-C6炔基,C6-C20芳基或-ORc'。 2.如申请专利范围第1项之有机矽酸盐组合物,其中 该第一矽烷(a)为一乙烯基乙醯氧矽烷,以及第二矽 烷(b)为一芳基烷氧矽烷。 3.一种如申请专利范围第1或2项之有机矽酸盐组合 物用作为黏着促进剂之用途。 4.一种在薄膜层间具有良好黏附性之物件,包含一 第一薄膜,其与一第二薄膜直接接触,该第一薄膜 包含如申请专利范围第1或2项之有机矽酸盐组合 物之硬化产物,以及该第二薄膜包含一有机聚合物 其包含芳香族基及非芳香族碳-碳键。 5.一种在低介电常数有机聚合物的薄膜中形成图 案之方法,包含: 提供一片基板, 形成一第一层于该基板上,其中该第一层具有介电 常数小于3.0且包含一有机聚合物, 藉由溶剂涂覆施用一有机矽酸盐树脂于该第一层 上,其中该有机矽酸盐树脂为如申请专利范围第1 项之 有机矽酸盐组合物或一由下式单体所制成之有机 矽氧烷: 其中 各个R3分别为氢,含1-6个碳原子之烷基,三甲基矽烷 基,甲氧基或氯; 各个R4分别为二价烯属未饱和有机基团; 各个R5分别为氢,含1至6个碳原子之烷基,环烷基,芳 烷基或苯基; 各个R6分别为氢,含1至6个碳原子之烷基,氯或氰基; n为1或1以上之整数;以及 各个q为0至3的整数; 蚀刻以去除部分有机矽酸盐树脂而曝露出部分第 一层,以及 去除第一层曝露部分。 6.如申请专利范围第5项之方法,其中该有机矽酸盐 树脂为如申请专利范围第1或2项之有机矽酸盐组 合物之硬化产物。 7.如申请专利范围第5项之方法,其中该第一层之部 分系蚀刻去除。 8.如申请专利范围第5项之方法,其中该去除部分有 机矽酸盐步骤包含施用光阻剂于有机矽酸盐上方, 曝光部分光阻剂于激发辐射,显像光阻剂而露出部 分有机矽酸盐,以及蚀刻该有机矽酸盐。 9.如申请专利范围第7或8项之方法,其中该蚀刻步 骤包含使用氧、氮、氢、氩、CxFy,CxHyFz,CxHy,WxFy或 其混合物之RIE(反应性离子蚀刻)型电浆蚀刻。 10.如申请专利范围第5项之方法,其进一步包含施 用导电金属于至少部分区域,该区域之第一层已经 被去除。 11.如申请专利范围第5项之方法,其进一步包含增 加一具有介电常数低于3.0之第二层于有机矽酸盐 树脂上,于第二层上方形成一图样化硬光罩,及蚀 刻第二层。 12.如申请专利范围第11项之方法,其中该蚀刻包含 蚀刻贯穿第二层至有机矽酸盐材料,以及此处有机 矽酸盐事先被蚀刻至第一层去除。 13.如申请专利范围第11项之方法,其中该第二层系 于去除部分有机矽酸盐层之步骤前施用及被蚀刻 。 14.如申请专利范围第5项之方法,其中该基板包含 一含电晶体的活性基板。 15.如申请专利范围第5项之方法,其中该有机聚合 物为聚芳烯。 16.如申请专利范围第15项之方法,其中该有机聚合 物为环戊二烯酮官能化合物及乙炔官能化合物之 反应产物。 17.如申请专利范围第5项之方法,其中该第一层为 多孔。 18.如申请专利范围第5项之方法,其中该有机矽酸 盐树脂为二乙烯基矽烷氧-贰-苯并环丁烯单体之 硬化反应产物。 19.如申请专利范围第5项之方法,其中该有机矽酸 盐树脂为水解烷氧矽烷、水解醯氧矽烷或其组合 之硬化产物。 20.如申请专利范围第1项之方法,其中该有机矽酸 盐树脂为可光界限。 21.如申请专利范围第20项之方法,其中该去除部分 有机矽酸盐树脂之步骤包含将有机矽酸盐曝光于 辐射激发波长,俾于曝光处引发聚合反应,以及使 用适当显像剂去除有机矽酸盐之未经曝光部分。 22.如申请专利范围第5项之方法,其系用以制造一 积体电路物件。 23.一种自二或多种不同初始有机矽烷制造具有实 质均匀之残留分布之如申请专利范围第1项之有机 矽酸盐组合物的方法,其包含于水解反应过程中, 连续添加其中一种组成分至一包含另一种组成分 之溶液中、于水解反应过程中,连续添加水且搅拌 所得之有机矽酸盐,此处欲连续添加的成分系选择 为该水解反应中具有较高反应性的成分。 图式简单说明: 第1图及第2图为剖面代表图显示使用本发明之硬 光罩材料之积体计画范例。 |
