| 主权项 |
1.一种用于一以脉冲迸发来产生输出雷射光脉冲 束脉冲的窄频带DUV高功率高重复率气体放电雷射 之谱线窄化模组,包含: 一散布性中心波长选择光学部件,其被包含在一谱 线窄化模组内,对于各脉冲选择至少一中心波长, 其至少部分地由该含有各别脉冲之雷射光脉冲束 在一散布性波长选择光学部件散布性表面上之入 射角所决定; 一第一散布性光学部件弯折机构,其系操作性连接 至该散布性中心波长选择光学部件且可操作以一 第一方式来改变该散布性表面的曲率;及 一第二散布性光学部件弯折机构,其系操作性连接 至该散布性中心波长选择光学部件且可操作以一 第二方式来改变该散布性表面的曲率。 2.如申请专利范围第1项之模组,进一步包含: 该第一方式系修改一第一频宽测量而该第二方式 修改一第二频宽测量以使该第一测量对于该第二 测量的比値显着地改变。 3.如申请专利范围第2项之模组,进一步包含: 该第一测量系为处于一选定百分比的频谱峰値之 一频谱宽度(FWX%M)而该第二测量系为其内含有某选 定百分比的频谱强烈度之一宽度(EX%)。 4.如申请专利范围第1项之模组,进一步包含: 该第一方式系改变该散布性表面的圆柱曲率而该 第二方式改变该散布性表面的垂链曲率。 5.如申请专利范围第2项之模组,进一步包含: 该第一方式系改变该散布性表面的圆柱曲率而该 第二方式改变该散布性表面的垂链曲率。 6.如申请专利范围第3项之模组,进一步包含: 该第一方式系改变该散布性表面的圆柱曲率而该 第二方式改变该散布性表面的垂链曲率。 7.如申请专利范围第1项之模组,进一步包含: 该第一及第二弯折机构的至少一者系以来自一束 参数侦测器之回馈为基础在一迸发期间由一波前 控制器所控制,该束参数侦测器系侦测该脉冲迸发 中的至少另一脉冲中之一束参数而该控制器以一 采用对于该迸发中的至少另一脉冲之经侦测的束 参数之演算法为基础来提供该回馈。 8.如申请专利范围第2项之模组,进一步包含: 该第一及第二弯折机构的至少一者系以来自一束 参数侦测器之回馈为基础在一迸发期间由一波前 控制器所控制,该束参数侦测器系侦测该脉冲迸发 中的至少另一脉冲中之一束参数而该控制器以一 采用对于该迸发中的至少另一脉冲之经侦测的束 参数之演算法为基础来提供该回馈。 9.如申请专利范围第3项之模组,进一步包含: 该第一及第二弯折机构的至少一者系以来自一束 参数侦测器之回馈为基础在一迸发期间由一波前 控制器所控制,该束参数侦测器系侦测该脉冲迸发 中的至少另一脉冲中之一束参数而该控制器以一 采用对于该迸发中的至少另一脉冲之经侦测的束 参数之演算法为基础来提供该回馈。 10.如申请专利范围第4项之模组,进一步包含: 该第一及第二弯折机构的至少一者系以来自一束 参数侦测器之回馈为基础在一迸发期间由一波前 控制器所控制,该束参数侦测器系侦测该脉冲迸发 中的至少另一脉冲中之一束参数而该控制器以一 采用对于该迸发中的至少另一脉冲之经侦测的束 参数之演算法为基础来提供该回馈。 11.如申请专利范围第5项之模组,进一步包含: 该第一及第二弯折机构的至少一者系以来自一束 参数侦测器之回馈为基础在一迸发期间由一波前 控制器所控制,该束参数侦测器系侦测该脉冲迸发 中的至少另一脉冲中之一束参数而该控制器以一 采用对于该迸发中的至少另一脉冲之经侦测的束 参数之演算法为基础来提供该回馈。 12.如申请专利范围第6项之模组,进一步包含: 该第一及第二弯折机构的至少一者系以来自一束 参数侦测器之回馈为基础在一迸发期间由一波前 控制器所控制,该束参数侦测器系侦测该脉冲迸发 中的至少另一脉冲中之一束参数而该控制器以一 采用对于该迸发中的至少另一脉冲之经侦测的束 参数之演算法为基础来提供该回馈。 13.一种用于一以脉冲迸发来产生输出雷射光脉冲 束脉冲的窄频带DUV高功率高重复率气体放电雷射 之谱线窄化模组,包含: 一散布性中心波长选择光学部件,其被包含在一谱 线窄化模组内,对于各脉冲选择至少一中心波长, 其至少部分地由该含有各别脉冲的雷射光脉冲束 在一散布性波长选择光学部件散布性表面上之入 射角所决定; 一第一散布性光学弯折机构,其操作性连接至该散 布性中心波长选择光学部件且可操作以在一第一 维度中改变该散布性表面的曲率; 一第二散布性光学弯折机构,其操作性连接至该散 布性中心波长选择光学部件且可操作以在一概括 正交于该第一维度之第二维度中改变该散布性表 面的曲率。 14.如申请专利范围第13项之模组,进一步包含: 该第一维度中之曲率变化系修改一第一频宽测量 而该第二维度中之曲率变化系修改一第二频宽测 量以使该第一测量对于该第二测量的比値显着地 改变。 15.如申请专利范围第14项之模组,进一步包含: 该第一测量系为处于一选定百分比的频谱峰値之 一频谱宽度(FWX%M)而该第二测量系为其内含有某选 定百分比的频谱强烈度之一宽度(EX%)。 16.如申请专利范围第13项之模组,进一步包含: 该第一及第二弯折机构的至少一者系以来自一束 参数侦测器之回馈为基础在一迸发期间由一波前 控制器所控制,该束参数侦测器系侦测该脉冲迸发 中的至少另一脉冲中之一束参数而该控制器以一 采用对于该迸发中的至少另一脉冲之经侦测的束 参数之演算法为基础来提供该回馈。 17.如申请专利范围第14项之模组,进一步包含: 该第一及第二弯折机构的至少一者系以来自一束 参数侦测器之回馈为基础在一迸发期间由一波前 控制器所控制,该束参数侦测器系侦测该脉冲迸发 中的至少另一脉冲中之一束参数而该控制器以一 采用对于该迸发中的至少另一脉冲之经侦测的束 参数之演算法为基础来提供该回馈。 18.如申请专利范围第15项之模组,进一步包含: 该第一及第二弯折机构的至少一者系以来自一束 参数侦测器之回馈为基础在一迸发期间由一波前 控制器所控制,该束参数侦测器系侦测该脉冲迸发 中的至少另一脉冲中之一束参数而该控制器以一 采用对于该迸发中的至少另一脉冲之经侦测的束 参数之演算法为基础来提供该回馈。 19.如申请专利范围第13项之模组,进一步包含: 该第一维度中的曲率变化系改变该第一维度中的 圆柱曲率而该第二维度中的曲率变化系改变该第 二维度中的圆柱曲率。 20.如申请专利范围第14项之模组,进一步包含: 该第一维度中的曲率变化系改变该第一维度中的 圆柱曲率而该第二维度中的曲率变化系改变该第 二维度中的圆柱曲率。 21.如申请专利范围第15项之模组,进一步包含: 该第一维度中的曲率变化系改变该第一维度中的 圆柱曲率而该第二维度中的曲率变化系改变该第 二维度中的圆柱曲率。 22.如申请专利范围第16项之模组,进一步包含: 该第一维度中的曲率变化系改变该第一维度中的 圆柱曲率而该第二维度中的曲率变化系改变该第 二维度中的圆柱曲率。 23.如申请专利范围第17项之模组,进一步包含: 该第一维度中的曲率变化系改变该第一维度中的 圆柱曲率而该第二维度中的曲率变化系改变该第 二维度中的圆柱曲率。 24.如申请专利范围第18项之模组,进一步包含: 该第一维度中的曲率变化系改变该第一维度中的 圆柱曲率而该第二维度中的曲率变化系改变该第 二维度中的圆柱曲率。 25.如申请专利范围第13项之模组,进一步包含: 该第一维度中的曲率变化系改变该第一维度中的 垂链曲率而该第二维度中的曲率变化系改变该第 二维度中的垂链曲率。 26.如申请专利范围第14项之模组,进一步包含: 该第一维度中的曲率变化系改变该第一维度中的 垂链曲率而该第二维度中的曲率变化系改变该第 二维度中的垂链曲率。 27.如申请专利范围第15项之模组,进一步包含: 该第一维度中的曲率变化系改变该第一维度中的 垂链曲率而该第二维度中的曲率变化系改变该第 二维度中的垂链曲率。 28.如申请专利范围第16项之模组,进一步包含: 该第一维度中的曲率变化系改变该第一维度中的 垂链曲率而该第二维度中的曲率变化系改变该第 二维度中的垂链曲率。 29.如申请专利范围第17项之模组,进一步包含: 该第一维度中的曲率变化系改变该第一维度中的 垂链曲率而该第二维度中的曲率变化系改变该第 二维度中的垂链曲率。 30.如申请专利范围第18项之模组,进一步包含: 该第一维度中的曲率变化系改变该第一维度中的 垂链曲率而该第二维度中的曲率变化系改变该第 二维度中的垂链曲率。 31.如申请专利范围第13项之模组,进一步包含: 该第一维度中的曲率变化系改变该第一维度中的 圆柱曲率及垂链曲率之一者而该第二维度中的曲 率变化系改变该第二维度中的圆柱及垂链曲率之 另一者。 32.如申请专利范围第14项之模组,进一步包含: 该第一维度中的曲率变化系改变该第一维度中的 圆柱曲率及垂链曲率之一者而该第二维度中的曲 率变化系改变该第二维度中的圆柱及垂链曲率之 另一者。 33.如申请专利范围第15项之模组,进一步包含: 该第一维度中的曲率变化系改变该第一维度中的 圆柱曲率及垂链曲率之一者而该第二维度中的曲 率变化系改变该第二维度中的圆柱及垂链曲率之 另一者。 34.如申请专利范围第16项之模组,进一步包含: 该第一维度中的曲率变化系改变该第一维度中的 圆柱曲率及垂链曲率之一者而该第二维度中的曲 率变化系改变该第二维度中的圆柱及垂链曲率之 另一者。 35.如申请专利范围第17项之模组,进一步包含: 该第一维度中的曲率变化系改变该第一维度中的 圆柱曲率及垂链曲率之一者而该第二维度中的曲 率变化系改变该第二维度中的圆柱及垂链曲率之 另一者。 36.如申请专利范围第18项之模组,进一步包含: 该第一维度中的曲率变化系改变该第一维度中的 圆柱曲率及垂链曲率之一者而该第二维度中的曲 率变化系改变该第二维度中的圆柱及垂链曲率之 另一者。 37.一种用于产生输出雷射光脉冲束脉冲的窄频带 DUV高功率高重复率气体放电雷射,其具有一包含一 标称光径之谱线窄化模组,该标称光径含有包含一 具一第一折射率及一第一折射率热梯度的第一材 料之光学元件,包含: 一束径插件,其包含一具有一第二折射率及一与该 第一折射率热梯度相反的第二折射率热梯度且放 置在该束径中且受到与一邻近光学元件大体相同 的环室环境之第二材料。 38.如申请专利范围第37项之气体放电雷射,进一步 包含: 该束径插件包含一薄板。 39.如申请专利范围第37项之气体放电雷射,进一步 包含: 该第一材料包含MgF2而该第二材料包含一非晶形式 的矽。 40.如申请专利范围第38项之气体放电雷射,进一步 包含: 该第一材料包含MgF2而该第二材料包含一非晶形式 的矽。 41.如申请专利范围第37项之气体放电雷射,进一步 包含: 该第二材料包含经熔合的矽石。 42.如申请专利范围第38项之气体放电雷射,进一步 包含: 该第二材料包含经熔合的矽石。 43.如申请专利范围第37项之气体放电雷射,进一步 包含: 该等光学元件系选自包括下列各物的群组:棱镜、 窗口及散布性光学元件。 44.如申请专利范围第38项之气体放电雷射,进一步 包含: 该等光学元件系选自包括下列各物的群组:棱镜、 窗口及散布性光学元件。 45.如申请专利范围第39项之气体放电雷射,进一步 包含: 该等光学元件系选自包括下列各物的群组:棱镜、 窗口及散布性光学元件。 46.如申请专利范围第40项之气体放电雷射,进一步 包含: 该等光学元件系选自包括下列各物的群组:棱镜、 窗口及散布性光学元件。 47.如申请专利范围第41项之气体放电雷射,进一步 包含: 该等光学元件系选自包括下列各物的群组:棱镜、 窗口及散布性光学元件。 48.如申请专利范围第42项之气体放电雷射,进一步 包含: 该等光学元件系选自包括下列各物的群组:棱镜、 窗口及散布性光学元件。 49.如申请专利范围第43项之气体放电雷射,进一步 包含: 该束径插件系具有一入射表面及一透射表面,该入 射表面及该透射表面的至少一者系涂覆有一防反 射涂层以尽量降低经过该束径插件之夫瑞司诺损 失(Fresnel losses)。 50.如申请专利范围第44项之气体放电雷射,进一步 包含: 该束径插件系具有一入射表面及一透射表面,该入 射表面及该透射表面的至少一者系涂覆有一防反 射涂层以尽量降低经过该束径插件之夫瑞司诺损 失(Fresnel losses)。 51.如申请专利范围第45项之气体放电雷射,进一步 包含: 该束径插件系具有一入射表面及一透射表面,该入 射表面及该透射表面的至少一者系涂覆有一防反 射涂层以尽量降低经过该束径插件之夫瑞司诺损 失(Fresnel losses)。 52.如申请专利范围第46项之气体放电雷射,进一步 包含: 该束径插件系具有一入射表面及一透射表面,该入 射表面及该透射表面的至少一者系涂覆有一防反 射涂层以尽量降低经过该束径插件之夫瑞司诺损 失(Fresnel losses)。 53.如申请专利范围第47项之气体放电雷射,进一步 包含: 该束径插件系具有一入射表面及一透射表面,该入 射表面及该透射表面的至少一者系涂覆有一防反 射涂层以尽量降低经过该束径插件之夫端司诺损 失(Fresnel losses)。 54.如申请专利范围第48项之气体放电雷射,进一步 包含: 该束径插件系具有一入射表面及一透射表面,该入 射表面及该透射表面的至少一者系涂覆有一防反 射涂层以尽量降低经过该束径插件之夫端司诺损 失(Fresnel losses)。 55.如申请专利范围第49项之气体放电雷射,进一步 包含: 以最高通量所穿过之邻近光学元件的厚度以及该 第一材料与该第二材料的容积吸收系数之比値作 为基础来选择该束径插件之厚度。 56.如申请专利范围第50项之气体放电雷射,进一步 包含: 以最高通量所穿过之邻近光学元件的厚度以及该 第一材料与该第二材料的容积吸收系数之比値作 为基础来选择该束径插件之厚度。 57.如申请专利范围第51项之气体放电雷射,进一步 包含: 以最高通量所穿过之邻近光学元件的厚度以及该 第一材料与该第二材料的容积吸收系数之比値作 为基础来选择该束径插件之厚度。 58.如申请专利范围第52项之气体放电雷射,进一步 包含: 以最高通量所穿过之邻近光学元件的厚度以及该 第一材料与该第二材料的容积吸收系数之比値作 为基础来选择该束径插件之厚度。 59.如申请专利范围第53项之气体放电雷射,进一步 包含: 以最高通量所穿过之邻近光学元件的厚度以及该 第一材料与该第二材料的容积吸收系数之比値作 为基础来选择该束径插件之厚度。 60.如申请专利范围第54项之气体放电雷射,进一步 包含: 以最高通量所穿过之邻近光学元件的厚度以及该 第一材料与该第二材料的容积吸收系数之比値作 为基础来选择该束径插件之厚度。 61.一种用于一以脉冲迸发来产生输出雷射光脉冲 束脉冲的窄频带DUV高功率高重复率气体放电雷射 之谱线窄化模组,包含: 一散布性中心波长选择光学部件,其被包含在一谱 线窄化模组内,对于各脉冲选择至少一中心波长, 其至少部分地由该含有各别脉冲之雷射光脉冲束 在一散布性波长选择光学部件散布性表面上之入 射角所决定; 一第一散布性光学部件弯折机构,其系操作性连接 至该散布性中心波长选择光学部件且可操作以在 一第一维度中改变该散布性表面的曲率; 一第二散布性光学部件弯折机构,其系操作性连接 至该散布性中心波长选择光学部件且可操作以在 一概括平行于该第一维度之第二维度中改变该散 布性表面的曲率。 62.如申请专利范围第61项之模组,进一步包含: 该第一维度中的曲率变化系为圆柱曲率的改变而 该第二维度中的曲率变化系为圆柱曲率的改变。 63.如申请专利范围第61项之模组,进一步包含: 该第一维度中的曲率变化系为垂链曲率的改变而 该第二维度中的曲率变化系为垂链曲率的改变。 64.如申请专利范围第61项之模组,进一步包含: 该第一维度中的曲率变化系为该圆柱曲率及该垂 链曲率的一者之改变而该第二维度中的曲率变化 系为该圆柱及垂链曲率中的另一者之改变。 65.如申请专利范围第61项之模组,进一步包含: 该第一维度中的曲率变化系修改一第一频宽测量 而该第二维度中的曲率变化系修改一第二频宽测 量以使该第一测量对于该第二测量的比値显着地 改变。 66.如申请专利范围第62项之模组,进一步包含: 该第一维度中的曲率变化系修改一第一频宽测量 而该第二维度中的曲率变化系修改一第二频宽测 量以使该第一测量对于该第二测量的比値显着地 改变。 67.如申请专利范围第63项之模组,进一步包含: 该第一维度中的曲率变化系修改一第一频宽测量 而该第二维度中的曲率变化系修改一第二频宽测 量以使该第一测量对于该第二测量的比値显着地 改变。 68.如申请专利范围第64项之模组,进一步包含: 该第一维度中的曲率变化系修改一第一频宽测量 而该第二维度中的曲率变化系修改一第二频宽测 量以使该第一测量对于该第二测量的比値显着地 改变。 69.如申请专利范围第65项之模组,进一步包含: 该第一测量系为处于一选定百分比的频谱峰値之 一频谱宽度(FWX%M)而该第二测量系为其内含有某选 定百分比的频谱强烈度之一宽度(EX%)。 70.如申请专利范围第66项之模组,进一步包含: 该第一测量系为处于一选定百分比的频谱峰値之 一频谱宽度(FWX%M)而该第二测量系为其内含有某选 定百分比的频谱强烈度之一宽度(EX%)。 71.如申请专利范围第67项之模组,进一步包含: 该第一测量系为处于一选定百分比的频谱峰値之 一频谱宽度(FWX%M)而该第二测量系为其内含有某选 定百分比的频谱强烈度之一宽度(EX%)。 72.如申请专利范围第68项之模组,进一步包含: 该第一测量系为处于一选定百分比的频谱峰値之 一频谱宽度(FWX%M)而该第二测量系为其内含有某选 定百分比的频谱强烈度之一宽度(EX%)。 73.如申请专利范围第61项之模组,进一步包含: 该第一及第二弯折机构的至少一者系以来自一束 参数侦测器之回馈为基础在一迸发期间由一波前 控制器所控制,该束参数侦测器系侦测该脉冲迸发 中的至少另一脉冲中之一束参数而该控制器以一 采用对于该迸发中的至少另一脉冲之经侦测的束 参数之演算法为基础来提供该回馈。 74.如申请专利范围第62项之模组,进一步包含: 该第一及第二弯折机构的至少一者系以来自一束 参数侦测器之回馈为基础在一迸发期间由一波前 控制器所控制,该束参数侦测器系侦测该脉冲迸发 中的至少另一脉冲中之一束参数而该控制器以一 采用对于该迸发中的至少另一脉冲之经侦测的束 参数之演算法为基础来提供该回馈。 75.如申请专利范围第63项之模组,进一步包含: 该第一及第二弯折机构的至少一者系以来自一束 参数侦测器之回馈为基础在一迸发期间由一波前 控制器所控制,该束参数侦测器系侦测该脉冲迸发 中的至少另一脉冲中之一束参数而该控制器以一 采用对于该迸发中的至少另一脉冲之经侦测的束 参数之演算法为基础来提供该回馈。 76.如申请专利范围第64项之模组,进一步包含: 该第一及第二弯折机构的至少一者系以来自一束 参数侦测器之回馈为基础在一迸发期间由一波前 控制器所控制,该束参数侦测器系侦测该脉冲迸发 中的至少另一脉冲中之一束参数而该控制器以一 采用对于该迸发中的至少另一脉冲之经侦测的束 参数之演算法为基础来提供该回馈。 77.如申请专利范围第65项之模组,进一步包含: 该第一及第二弯折机构的至少一者系以来自一束 参数侦测器之回馈为基础在一迸发期间由一波前 控制器所控制,该束参数侦测器系侦测该脉冲迸发 中的至少另一脉冲中之一束参数而该控制器以一 采用对于该迸发中的至少另一脉冲之经侦测的束 参数之演算法为基础来提供该回馈。 78.如申请专利范围第66项之模组,进一步包含: 该第一及第二弯折机构的至少一者系以来自一束 参数侦测器之回馈为基础在一迸发期间由一波前 控制器所控制,该束参数侦测器系侦测该脉冲迸发 中的至少另一脉冲中之一束参数而该控制器以一 采用对于该迸发中的至少另一脉冲之经侦测的束 参数之演算法为基础来提供该回馈。 79.如申请专利范围第67项之模组,进一步包含: 该第一及第二弯折机构的至少一者系以来自一束 参数侦测器之回馈为基础在一迸发期间由一波前 控制器所控制,该束参数侦测器系侦测该脉冲迸发 中的至少另一脉冲中之一束参数而该控制器以一 采用对于该迸发中的至少另一脉冲之经侦测的束 参数之演算法为基础来提供该回馈。 80.如申请专利范围第68项之模组,进一步包含: 该第一及第二弯折机构的至少一者系以来自一束 参数侦测器之回馈为基础在一迸发期间由一波前 控制器所控制,该束参数侦测器系侦测该脉冲迸发 中的至少另一脉冲中之一束参数而该控制器以一 采用对于该迸发中的至少另一脉冲之经侦测的束 参数之演算法为基础来提供该回馈。 81.如申请专利范围第69项之模组,进一步包含: 该第一及第二弯折机构的至少一者系以来自一束 参数侦测器之回馈为基础在一迸发期间由一波前 控制器所控制,该束参数侦测器系侦测该脉冲迸发 中的至少另一脉冲中之一束参数而该控制器以一 采用对于该迸发中的至少另一脉冲之经侦测的束 参数之演算法为基础来提供该回馈。 82.如申请专利范围第70项之模组,进一步包含: 该第一及第二弯折机构的至少一者系以来自一束 参数侦测器之回馈为基础在一迸发期间由一波前 控制器所控制,该束参数侦测器系侦测该脉冲迸发 中的至少另一脉冲中之一束参数而该控制器以一 采用对于该迸发中的至少另一脉冲之经侦测的束 参数之演算法为基础来提供该回馈。 83.如申请专利范围第71项之模组,进一步包含: 该第一及第二弯折机构的至少一者系以来自一束 参数侦测器之回馈为基础在一迸发期间由一波前 控制器所控制,该束参数侦测器系侦测该脉冲迸发 中的至少另一脉冲中之一束参数而该控制器以一 采用对于该迸发中的至少另一脉冲之经侦测的束 参数之演算法为基础来提供该回馈。 84.如申请专利范围第72项之模组,进一步包含: 该第一及第二弯折机构的至少一者系以来自一束 参数侦测器之回馈为基础在一迸发期间由一波前 控制器所控制,该束参数侦测器系侦测该脉冲迸发 中的至少另一脉冲中之一束参数而该控制器以一 采用对于该迸发中的至少另一脉冲之经侦测的束 参数之演算法为基础来提供该回馈。 85.一种用于以脉冲迸发产生输出雷射光脉冲束脉 冲之窄频带DUV高功率高重复率气体放电雷射,包含 : 一共振雷射腔穴; 一散布性中心波长选择光学部件,其被包含在一谱 线窄化模组内,在该雷射腔穴内,对于各脉冲选择 至少一中心波长,其至少部分地由该含有各别脉冲 之雷射光脉冲束在一散布性中心波长选择光学部 件散布性表面上之入射角所决定; 一位于该雷射腔穴中之光束扭转元件,其光学性扭 转该雷射光脉冲束以将一经扭转波前提出至该散 布性中心波长选择光学部件。 86.如申请专利范围第85项之气体放电雷射,进一步 包含: 该光学束扭转元件系包含呈伸缩配置之一第一圆 柱形透镜及一第二圆柱形透镜。 87.如申请专利范围第86项之气体放电雷射,进一步 包含: 该第一及第二圆柱形透镜的至少一者系可沿该第 一及第二圆柱形透镜的至少一者之一横向中轴线 而旋转。 88.如申请专利范围第86项之气体放电雷射,进一步 包含: 该第一圆柱形透镜系可沿该第一圆柱形透镜的一 横向中轴线而旋转且该第二圆柱形透镜可沿该第 二圆柱形透镜的一横向中轴线而旋转。 89.一种用于一以脉冲迸发产生输出雷射光脉冲束 脉冲之窄频带DUV高功率高重复率气体放电雷射之 谱线窄化模组,包含: 一散布性中心波长选择光学部件,其被包含在一谱 线窄化模组内,对于各脉冲选择至少一中心波长, 其至少部分地由该含有各别脉冲之雷射光脉冲束 在一散布性中心波长选择光学部件散布性表面上 之入射角所决定; 一散布性光学部件弯折机构,其系操作性连接至该 散布性中心波长选择光学部件且可操作以改变该 散布性表面的曲率; 一光学频宽选择元件,其可操作以藉由生成一定心 于一第一中心波长上的第一频谱及一定心于一与 该第一中心波长分离一够小足以使该第一及第二 频谱大致地重叠的选定位移之第二中心波长上的 第二频谱来修改该雷射光脉冲束的有效频谱。 90.如申请专利范围第89项之模组,进一步包含: 该光学频宽选择元件系包含一颤动式调整机构,其 对于一迸发中的部分脉冲选择该第一中心波长且 对于该迸发中的其他脉冲选择该第二中心波长以 对于该含有两选定重叠中心波长频谱的迸发提供 一有效的经整合频谱。 91.如申请专利范围第89项之模组,进一步包含: 该光学频宽选择元件系包含一可变折射性光学元 件,其界定该雷射光脉冲束的一第一部在该散布性 中心波长选择光学部件上之一第一入射角及该雷 射光脉冲束之一与该第一部呈空间性分离的第二 部在该散布性光学部件上之一第二入射角。 92.如申请专利范围第91项之模组,进一步包含: 该可变折射性光学元件系包含一具有一纵圆柱中 轴线之圆柱形透镜,该纵圆柱中轴线概括平行于该 雷射光脉冲束之一横剖面的一中轴线,且可被可变 地插入于该雷射光脉冲束的第一部之路径内。 93.如申请专利范围第89项之模组,进一步包含: 该弯折机构主要系修改一第一频宽测量而该光学 频宽选择元件主要系修改一第二频宽测量。 94.如申请专利范围第90项之模组,进一步包含: 该弯折机构主要系修改一第一频宽测量而该光学 频宽选择元件主要系修改一第二频宽测量。 95.如申请专利范围第91项之模组,进一步包含: 该弯折机构主要系修改一第一频宽测量而该光学 频宽选择元件主要系修改一第二频宽测量。 96.如申请专利范围第92项之模组,进一步包含: 该弯折机构主要系修改一第一频宽测量而该光学 频宽选择元件主要系修改一第二频宽测量。 97.如申请专利范围第93项之模组,进一步包含: 该第一测量系为EX%而该第二测量为FWX%M。 98.如申请专利范围第94项之模组,进一步包含: 该第一测量系为EX%而该第二测量为FWX%M。 99.如申请专利范围第95项之模组,进一步包含: 该第一测量系为EX%而该第二测量为FWX%M。 100.如申请专利范围第96项之模组,进一步包含: 该第一测量系为EX%而该第二测量为FWX%M。 101.一种用于一以脉冲迸发来产生输出雷射光脉冲 束脉冲的窄频带DUV高功率高重复率气体放电雷射 之谱线窄化方法,包含: 使用一散布性中心波长选择光学部件,其被包含在 一谱线窄化模组内,对于各脉冲选择至少一中心波 长,其至少部分地由该含有各别脉冲之雷射光脉冲 束在一散布性波长选择光学部件散布性表面上之 入射角所决定; 使用一第一散布性光学部件弯折机构,其系操作性 连接至该散布性中心波长选择光学部件,而以一第 一方式来改变该散布性表面的曲率;及 使用一第二散布性光学部件弯折机构,其系操作性 连接至该散布性中心波长选择光学部件,而以一第 二方式来改变该散布性表面的曲率。 102.一种用于一以脉冲迸发来产生输出雷射光脉冲 束脉冲的窄频带DUV高功率高重复率气体放电雷射 之谱线窄化模组,包含: 一散布性中心波长选择光学部件,其被包含在一谱 线窄化模组内,对于各脉冲选择至少一中心波长, 其至少部分地由该含有各别脉冲之雷射光脉冲束 在一散布性波长选择光学部件散布性表面上之入 射角所决定; 一第一散布性光学部件弯折机构,其系操作性连接 至该散布性中心波长选择光学部件且可操作以一 选定方式来改变该散布性表面的曲率;及 一第二散布性光学部件弯折机构,其系操作性连接 至该散布性中心波长选择光学部件且可操作以该 选定方式来改变该散布性表面的曲率。 103.一种用于一以脉冲迸发来产生输出雷射光脉冲 束脉冲的窄频带DUV高功率高重复率气体放电雷射 之谱线窄化模组,包含: 一散布性中心波长选择光学部件,其被包含在一谱 线窄化模组内,对于各脉冲选择至少一中心波长, 其至少部分地由该含有各别脉冲之雷射光脉冲束 在一散布性波长选择光学部件散布性表面上之入 射角所决定; 一第一雷射光脉冲束波前修改器,其可操作以一选 定方式来改变该雷射光脉冲束的波前;及 一第二雷射光脉冲波前修改器,其可操作以该选定 方式来改变该雷射光脉冲束的波前。 图式简单说明: 第1A及1B图显示随着一频宽控制部件受到调节时之 FWHM及E95频宽改变的图形; 第2图部分地示意性显示如上文所参照的美国专利 案5,095,492号所讨论之一先前技艺主动频宽控制部 件; 第3图显示如美国专利案6,212,217号所讨论之一先前 技艺频宽控制部件; 第4图为显示根据本发明的一实施例之态样之在不 同模式中用于弯折光栅之频宽控制部件的效果之 图形; 第5图示意地显示根据本发明的一实施例之态样之 一用于同时将多重扭曲传递予光栅之装置; 第6图部分地示意显示根据本发明的一实施例之态 样之一谱线窄化模组; 第6A-6D图显示藉由根据本发明的一实施例之态样 之装置将一示范性力对施加至光栅之扭曲性冲击; 第7图为根据本发明的一实施例之态样以不同方式 测量之频宽变化的图表; 第8图为类似于第1A及1B图者之图表; 第9图为模拟的波长峰値分离及导致对于第7图所 示的E95及FWHM之冲击的图表; 第10图示意地显示根据本发明的一实施例之态样 之一雷射系统; 第11图部分示意地显示根据本发明的一实施例之 态样之一光束扭转元件; 第12图显示第11图的光束扭转元件所生成之一经扭 转束轮廓的一范例; 第13图显示束扭转对于一频宽测量上之效应的一 范例; 第14图显示根据本发明的一实施例之态样相对于 彼此旋转之两透镜的定向。 |
