回复具低介电常数材料之晶圆

摘要

从一晶圆上除去成分为矽、氧和碳之低介电常数材料层。该低介电常数材料层系藉由将该低介电常数材料层表面暴露在含氧气体中以氧化该表面的方式来除去。将该氧化表面浸入具有氟化氢和硫酸之蚀刻溶液中以蚀刻该低介电常数材料层。将蚀刻后的表面暴露在(i)具有硫酸和过氧化氢之蚀刻溶液，以及(ii)由射频(RF)或微波供给能量之含氧气体的至少其中一种中，以从该晶圆上除去该低介电常数材料层。