半导体装置制造方法

摘要

本发明系提供一种半导体装置制造方法，包括下列步骤：于半导体基底上形成金属膜；于金属膜上形成硬罩；将所得的基底设置于处理室中；将处理室中的压力降低至预定等级；以及提供蚀刻气体至处理室并于处理室中产生蚀刻气体之电浆，使得金属膜藉由产生的电浆而被图案化，其中蚀刻气体包括不饱和烃气体。