动态随机存取记忆体的制造方法及其阵列

摘要

一种动态随机存取记忆体之阵列，其包括绝缘层上有矽基底、多数个记忆单元、多数条基体线、多数条字元线以及多数条位元线。多数个记忆单元系配置于绝缘层上有矽基底上，且以行与列之方式排列，每一个记忆单元包括有一电晶体与一电容器。多数条基体线系平行配置成列，并串接同一列之相邻二电晶体，且每一条基体线电性连接电晶体之基体区。多数条字元线与基体线平行，且每一条字元线系与位于同一列上之电晶体的二闸极结构接合。多数条位元线与字元线垂直，且跨过相邻列而串联同一行上之电晶体，且与电晶体的源极／汲极区电性连接。