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发明名称
Nichtflüchtige Silizium/Oxid/Nitrid/Silizium/Nitrid/Oxid/Silizium Speicheranordnung
摘要
申请公布号
DE60309806(D1)
申请公布日期
2007.01.04
申请号
DE20036009806
申请日期
2003.04.14
申请人
SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.
发明人
CHAE, SOO-DOO;KIM, JU-HYUNG;KIM, CHUNG-WOO;CHAE, HEE-SOON;RYU, WON-IL
分类号
H01L21/8247;H01L29/792;G11C16/04;H01L21/28;H01L27/115;H01L29/423;H01L29/51;H01L29/788
主分类号
H01L21/8247
代理机构
代理人
主权项
地址
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