发明名称 Nichtflüchtige Silizium/Oxid/Nitrid/Silizium/Nitrid/Oxid/Silizium Speicheranordnung
摘要
申请公布号 DE60309806(D1) 申请公布日期 2007.01.04
申请号 DE20036009806 申请日期 2003.04.14
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. 发明人 CHAE, SOO-DOO;KIM, JU-HYUNG;KIM, CHUNG-WOO;CHAE, HEE-SOON;RYU, WON-IL
分类号 H01L21/8247;H01L29/792;G11C16/04;H01L21/28;H01L27/115;H01L29/423;H01L29/51;H01L29/788 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
主权项
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