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经营范围
发明名称
Method for forming polycrystalline silicon film of poly-Si TFT
摘要
申请公布号
KR100663298(B1)
申请公布日期
2007.01.02
申请号
KR20030098756
申请日期
2003.12.29
申请人
发明人
分类号
H01L21/20;H01L29/786;B05D3/00;C30B13/24;C30B29/06;G02F1/13;H01L21/268;H01L21/324;H01L21/336
主分类号
H01L21/20
代理机构
代理人
主权项
地址
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