半导体元件以及其制作方法"CLOSED LOOP" CESL HIGH PERFORMANCE CMOS DEVICES

摘要

本发明实施例提供一种半导体元件与其制作方法。该半导体元件包含有一基底、一闸结构、至少一L型层与一间隙壁、以及一应力层。该闸结构设于该基底上，该L型层具有一第一脚边，沿着该闸结构延伸到一第一端点，以及一第二脚边，沿着该基底延伸到一第二端点。该间隙与该L型层之该第一脚边跟第二脚边相接触。该应力层具有内应力，覆盖在该闸结构、该L型层、该间隙壁以及该基底之部分区域，该应力层与该第一端点以及该第二端点相接触。