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Integrierter Schaltkreis mit DOLLAR A - einem Bauelementebereich (240) mit zumindest einem NDMOS-Transistor (40) und zumindest einem PDMOS-Transistor (20) und DOLLAR A - einem Substrat (60, 60', 600, 600'), das von dem Bauelementebereich (240) durch ein Dielektrikum (50, 50', 500, 550) isoliert ist, DOLLAR A wobei der Bauelemetebereich (240), das Dielektrikum (50, 50', 500, 550) und das Substrat (60, 60', 600, 600') eine erste, auf eine Flächeneinheit (mum·2·) normierte Substratkapazität (C¶1¶, C¶11¶, C¶12¶) in einem ersten Bereich (A¶1¶, A¶1¶', 200) des PDMOS-Transistors (20) und eine zweite, auf diese Flächeneinheit (mum·2·) normierte Substratkapazität (C¶2¶) in einem zweiten Bereich (A¶2¶, 400) des NDMOS-Transistors (40) ausbilden und DOLLAR A wobei die erste, auf diese Flächeneinheit (mum·2·) normierte Substratkapazität (C¶1¶, C¶11¶, C¶12¶) gegenüber der zweiten, auf diese Flächeneinheit (mum·2·) normierte Substratkapazität (C¶2¶) reduziert ist.
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