| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置的制造方法，准备半导体晶片，该半导体晶片具有有效面、侧面、与所述有效面相反一侧的背面、在所述有效面形成的多个半导体元件；所述半导体晶片的所述侧面的至少一部分与所述半导体晶片的所述背面所成角度形成为锐角；朝向所述半导体晶片的所述有效面以及所述半导体晶片的所述侧面吹送空气，同时实施一边使所述半导体晶片旋转，一边在所述半导体晶片的所述背面上滴下蚀刻液的旋转蚀刻。 | ||
| 申请公布号 | CN1885500A | 申请公布日期 | 2006.12.27 |
| 申请号 | CN200610094020.5 | 申请日期 | 2006.06.21 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 原一巳 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01);H01L21/304(2006.01);H01L21/302(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/306(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，准备半导体晶片，该半导体晶片具有有效面、侧面、与所述有效面相反一侧的背面、在所述有效面形成的多个半导体元件；将所述半导体晶片的所述侧面的至少一部分与所述半导体晶片的所述背面所成角度，形成为锐角；朝向所述半导体晶片的所述有效面以及所述半导体晶片的所述侧面吹送空气，同时实施一边使所述半导体晶片旋转，一边在所述半导体晶片的所述背面上滴下蚀刻液的旋转蚀刻。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||