高亮度GaN基发光管芯片及其制备方法

摘要

本发明提供一种高亮度GaN基发光二极管的结构和其制备的技术方案，提出一种具有表面图形化和微结构的高亮度LED结构，具体结构是采用纳米压制技术在LED的发光面上制备具有各种图形的有机材料薄膜，间接的在LED表面形成有利于有源区发射光逸出的微结构，例如具有结构或粗糙化的微图形，光子晶体结构等，通过在出光面上引入这种表面微结构，使得光在出射介质的界面面积得到增加，增加后的表面呈现为大量方向无序排列的小区域。造成光线在有源区和介质的界面上一定程度上是随机出射的。这样可以通过改善出射光的出射方向，增加出射几率，进一步提高发光二极管的光提取效率和外量子效率。

主权项

1.一种高亮度GaN基发光管芯片，具体结构如下：在蓝宝石衬底上生长有GaN基LED外延片，在P型GaN层上有P型欧姆接触层；下面是量子阱有源区和覆盖层；其下是N型GaN层，在N型GaN上有N型电极；还包括具有微结构的有机薄膜。