| 摘要 |
本发明揭示一种发光装置，其包括：一GaN基板1；一n型AlxGa1–xN层3，其位于该GaN基板1之一第一主表面侧上；一p型AlxGa1–xN层5，其位置比该n型AlxGa1–xN层3离该GaN基板1更远；以及一多量子井(MQW)4，其位于该n型AlxGa1–xN层3与该p型AlxGa1–xN层5之间。在此发光装置中，该p型AlxGa1–xN层5之侧系向下安装，而光系从第二主表面1a发出，该第二主表面1a系与该GaN基板1之第一主表面相对的主表面。在该GaN基板1之第二主表面1a上形成半球形突出物82。 |
