| 发明名称 | 在液晶显示器中形成薄膜晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 在液晶显示器中形成薄膜晶体管的工艺中，首先在透明基板上依序形成一层缓冲层以及一层多晶硅层。之后，利用等离子处理的方式在多晶硅层的表面上形成栅极绝缘层，其中等离子可包含氧，氮，或是同时包含两者，而处理的温度约在300－600℃之间。接着，在上述的栅极绝缘层上形成一层栅极层，并且在栅极层的两旁形成源极与漏极。 | ||
| 申请公布号 | CN1869793A | 申请公布日期 | 2006.11.29 |
| 申请号 | CN200510072851.8 | 申请日期 | 2005.05.24 |
| 申请人 | 广辉电子股份有限公司 | 发明人 | 丁进国 |
| 分类号 | G02F1/136(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | G02F1/136(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 1、一种在液晶显示器中形成一个薄膜晶体管的方法，包括：依次在一个透明基板上沉积一层缓冲层与一层多晶硅层；以等离子处理该多晶硅层以形成一层栅极绝缘层；在该栅极绝缘层上形成一层栅极层；以及在该多晶硅层内形成一个源极与一个漏极区域，处于该栅极层两侧。 | ||
| 地址 | 台湾省桃园县 | ||