发明名称 氟代乙烷之制造方法及其用途
摘要 本发明之目的在提供高纯度氟代乙烷的工业上有利之制造方法,用该方法所制得之五氟乙烷制造六氟乙烷之方法,以及五氟乙烷之用途。其方法包括以下过程,四氯乙烯氟化得含杂质之粗五氟乙烷的过程(1),及使上述含杂质之粗五氟乙烷,于触媒存在下,接触氧及/或含氧化合物之过程(2)。
申请公布号 TWI266759 申请公布日期 2006.11.21
申请号 TW092105101 申请日期 2003.03.10
申请人 昭和电工股份有限公司 发明人 加贺一有;大野博基;大井敏夫
分类号 C07C17/21(2006.01);C07C17/395(2006.01) 主分类号 C07C17/21(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种五氟乙烷之制造方法,其特征为:包含以下过 程, (1)使四氯乙烯氟化得粗五氟乙烷之过程, (2)于触媒存在下,使上述粗五氟乙烷与氧及/或含 氧化合物接触之过程, 惟,该粗五氟乙烷系以五氟乙烷为主要成分,所含 杂质系选自氟代甲烷、二氟甲烷、氟代乙烷、1,1- 二氟乙烷、1,2-二氟乙烷、1,1,1-三氟乙烷及1,1,2-三 氟乙烷所成群之至少一种化合物。 2.如申请专利范围第1项之制造方法,其中用于过程 (2)之粗五氟乙烷,系经与氢接触之过程所得者。 3.如申请专利范围第1项之制造方法,其中过程(2)之 温度系150至400℃。 4.如申请专利范围第1项之制造方法,其中触媒系以 三价之氧化铬为主要成分之载持型或块状型触媒 。 5.如申请专利范围第1项之制造方法,其中触媒系以 选自钯、铑、钌、铼、铂及金所成群之至少一种 金属为主要成分之载持型触媒。 6.如申请专利范围第4或5项之制造方法,其中载持 型触媒之载体系氧化铝、氟化氧化铝或沸石。 7.如申请专利范围第1项之制造方法,其中粗五氟乙 烷中所含杂质总量占2体积%以下。 8.一种五氟乙烷之制造方法,其特征为:于主要成分 系三价之氧化铬之触媒的存在下,使粗五氟乙烷与 氧及/或含氧化合物于150至400℃接触,其次以蒸馏 分离杂质;惟,该粗五氟乙烷系以五氟乙烷为主要 成分,所含杂质系选自氟代甲烷、二氟甲烷、氟代 乙烷、1,1-二氟乙烷、1,2-二氟乙烷、1,1,1-三氟乙 烷及1,1,2-三氟乙烷所成群之至少一种化合物。 9.一种五氟乙烷之制造方法,其特征为:于主要成分 系选自钯、铑、钌、铼、铂及金所成群之至少一 种金属之载持型触媒的存在下,使粗五氟乙烷与氧 及/或含氧化合物于150至400℃接触,其次以蒸馏分 离杂质;惟,该粗五氟乙烷系以五氟乙烷为主要成 分,所含杂质系选自氟代甲烷、二氟甲烷、氟代乙 烷、1,1-二氟乙烷、1,2-二氟乙烷、1,1,1-三氟乙烷 及1,1,2-三氟乙烷所成群之至少一种化合物。 10.如申请专利范围第8或9项之制造方法,其中粗五 氟乙烷之杂质至少包含三氟乙烷。 11.如申请专利范围第8或9项之制造方法,其中氧及/ 或含氧化合物之浓度系0.1至20体积%。 12.一种六氟乙烷之制造方法,其特征为:包以以下 过程, (1)使四氯乙烯氟化得粗五氟乙烷之过程, (2)于触媒存在下,使上述粗五氟乙烷与氧及/或含 氧化合物接触得五氟乙烷之过程, (3)经过程(2)所得之五氟乙烷与氟气反应得六氟乙 烷之过程, 惟,该粗五氟乙烷系以五氟乙烷为主要成分,所含 杂质系选自氟代甲烷、二氟甲烷、氟代乙烷、1,1- 二氟乙烷、1,2-二氟乙烷、1,1,1-三氟乙烷及1,1,2-三 氟乙烷所成群之至少一种化合物。 13.如申请专利范围第12项之制造方法,其中用于过 程(2)之粗五氟乙烷,系经与氢接触之过程而得者。
地址 日本