非挥发性记忆体及其制造方法以及操作方法

摘要

本发明是有关于一种非挥发性记忆体及其制造方法以及操作方法。该非挥发性记忆体的制造方法是先于基底形成堆叠结构，此堆叠结构包括下层的闸介电层与位于其上的控制闸极。然后，于堆叠结构的顶部、侧壁与裸露的基底上分别形成第一介电层、第二介电层与第三介电层。之后，于基底上形成一对电荷储存层，分别覆盖堆叠结构的部分顶部及侧壁，其中各个电荷储存层之间相距一间隙。

主权项

1、一种非挥发性记忆体的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：于一基底形成一堆叠结构，该堆叠结构包括下层的一闸介电层与位于其上的一控制闸极；于该堆叠结构的顶部、侧壁与裸露的该基底上分别形成一第一介电层、一第二介电层与一第三介电层；以及于该基底上形成一对电荷储存层，分别覆盖该堆叠结构的部分顶部及侧壁，其中各该电荷储存层之间相距一第一间隙。