发明名称 | 对每个存储块具有保护功能的非易失性半导体存储器件 | ||
摘要 | 提供一种对每个存储块具有保护功能的非易失性半导体存储器件,该非易失性半导体存储器件包含:由多个存储块构成的存储单元阵列,接口,写入电路,和读取电路。保护标记被写入到存储块中。读出的保护标记可以通过接口输出到外部器件。由接口输入写入命令时,在被选择的块的保护标记具有第一值时写入电路执行写入命令,而保护标记具有第二值时不执行写入命令。 | ||
申请公布号 | CN1856841A | 申请公布日期 | 2006.11.01 |
申请号 | CN200480027761.0 | 申请日期 | 2004.08.23 |
申请人 | 株式会社东芝;三因迪斯克公司 | 发明人 | 田中智晴;河合矿一;汉德克·N·卡迪尔 |
分类号 | G11C16/22(2006.01) | 主分类号 | G11C16/22(2006.01) |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 岳耀锋 |
主权项 | 1.一种非易失性半导体存储器件,包含:多个由可电编程的非易失性半导体存储单元构成的存储块;由多个上述存储块构成的存储单元阵列;与外部器件通信的接口;根据输入到上述接口的地址和数据写入命令对被选择的存储块写入数据的写入电路,从上述接口输入上述写入命令时,在上述被选择的存储块的保护标记具有第一值时上述写入电路执行上述写入命令,而上述保护标记具有第二值时不执行上述写入命令;以及根据输入到上述接口的地址读取存储在上述被选择的存储块的一部分上的保护标记的读取电路,被上述读取电路读出的上述保护标记能够通过上述接口输出到外部器件。 | ||
地址 | 日本东京都 |