| 发明名称 | 用于金属膜的CMP浆料、抛光方法以及制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于金属膜的CMP浆料，包括：水；基于所述浆料的总量0.01至0.3wt％的重量平均分子量不小于20,000的聚乙烯基吡咯烷酮；氧化剂；保护膜形成剂，包含用于形成水不溶性络合物的第一络合剂和用于形成水溶性络合物的第二络合剂；以及初级颗粒直径在5至50nm范围内的胶体二氧化硅。 | ||
| 申请公布号 | CN1854225A | 申请公布日期 | 2006.11.01 |
| 申请号 | CN200610076096.5 | 申请日期 | 2006.04.27 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 南幅学;福岛大;仓嶋延行;山本进;矢野博之 |
| 分类号 | C09G1/16(2006.01);C08J5/14(2006.01);H01L21/3105(2006.01) | 主分类号 | C09G1/16(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;于静 |
| 主权项 | 1.一种用于金属膜的CMP浆料，包括：水；基于所述浆料的总量0.01至0.3wt％的重量平均分子量为20,000或更大的聚乙烯基吡咯烷酮；氧化剂；保护膜形成剂，包含用于形成水不溶性络合物的第一络合剂和用于形成水溶性络合物的第二络合剂；以及初级颗粒直径在5至50nm范围内的胶体二氧化硅。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||