| 发明名称 | 适合半导体器件的熔丝断开方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种适合半导体器件的熔丝断开方法。向目标熔丝连续施加多个脉冲以引起断开，每个脉冲都具有相对低的能量，其中脉冲的总能量根据预先计算所得的断开阈值而设置。目标熔丝具有成对的端子和互联部分，该互联部分被构建为在中间被狭窄地压缩，从而易于实现熔丝断开。脉冲发生器产生脉冲，该脉冲通过晶体管重复施加到目标熔丝；然后，在探测到熔丝断开的基础上该脉冲发生器停止产生脉冲。侧壁分隔件形成在熔丝的侧壁上，该侧壁分隔件被处理成渐缩的形状以减小施加到外覆的绝缘膜的热应力。此外，脉冲能量被适当调节以在目标熔丝中引起电迁移，因此目标熔丝电阻增加而不引起瞬时的熔断或蒸发。 | ||
| 申请公布号 | CN1855426A | 申请公布日期 | 2006.11.01 |
| 申请号 | CN200610073319.2 | 申请日期 | 2006.03.30 |
| 申请人 | 雅马哈株式会社 | 发明人 | 大村昌良;关本康彦 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01);H01L27/04(2006.01);H01L23/525(2006.01);G11C17/16(2006.01) | 主分类号 | H01L21/822(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种熔丝断开方法，用于向形成在半导体衬底上的熔丝连续施加多个脉冲，从而使所述熔丝断开。 | ||
| 地址 | 日本静冈县 | ||