| 发明名称 | 一种提高各向异性的多晶硅脉冲刻蚀工艺 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种能够提高各向异性的多晶硅刻蚀工艺，包括以下步骤：贯穿刻蚀、脉冲主刻蚀、过刻蚀。其中脉冲主刻蚀步骤采用脉冲功率/流量工艺，在低脉冲周期主要进行聚合物的生成和侧壁保护；在高脉冲周期主要进行多晶硅纵向刻蚀。本发明的工艺在保证刻蚀剖面形状和CD控制的同时提高刻蚀速率和刻蚀面积，刻蚀剖面陡直，即各向异性提高。 | ||
| 申请公布号 | CN1851872A | 申请公布日期 | 2006.10.25 |
| 申请号 | CN200510126274.6 | 申请日期 | 2005.12.02 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 张玮 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01);H01L21/3065(2006.01);C23F1/12(2006.01);C23F4/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/306(2006.01) |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 练光东 |
| 主权项 | 1、一种能够提高各向异性的多晶硅刻蚀工艺，包括以下步骤：(1)贯穿刻蚀、(2)脉冲主刻蚀和(3)过刻蚀。 | ||
| 地址 | 100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号 | ||