| 发明名称 | 双区喷嘴 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体刻蚀工艺中的喷嘴。本发明为双区喷嘴，包括喷嘴主体，其中所述喷嘴主体内设有中心通孔和与该中心通孔同轴布置的环形孔，所述喷嘴主体上设有中心通孔的中心孔入口和环形孔入口。本发明的有益效果是：本发明中，由于具有两个独立的气体通道，气体的流量可以分别控制，即可以通过减小中心通孔内的气体流量，相应增加环形孔内气体流量的办法平衡进入到反应室内和外围的气体流量，使反应室内气体更容易实现均匀，从而使得在晶片表面上各点的刻蚀速率更加相近。即使随着晶片尺寸的增大，本发明也能很好地控制从晶片到边缘的刻蚀速率和均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN1850346A | 申请公布日期 | 2006.10.25 |
| 申请号 | CN200510126393.1 | 申请日期 | 2005.12.08 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 林盛 |
| 分类号 | B05B1/02(2006.01);H01L21/3065(2006.01) | 主分类号 | B05B1/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蔡世英 |
| 主权项 | 1.双区喷嘴，包括喷嘴主体(1)，其特征在于所述喷嘴主体(1)内设有中心通孔(2)和与该中心通孔(2)同轴布置的环形孔(3)，所述喷嘴主体(1)上设有中心通孔(2)的中心孔入口(4)和环形孔入口(5)。 | ||
| 地址 | 100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号 | ||