| 发明名称 | 一种能够避免微沟槽现象的硅栅刻蚀工艺 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种能够避免微沟槽现象的硅栅刻蚀工艺，其包括贯穿步、主刻步、基点刻蚀步和过刻步。该工艺能够在不改变硬件设计的前提下，仅通过在硅栅刻蚀工艺主刻步骤后增加基点刻蚀步骤，在保证刻蚀剖面陡直的同时，有效避免了微沟槽现象的出现，满足先进栅刻蚀工艺的需要。这种方法简单易行，不仅避免了系统硬件设计所增加的变数、保证工艺的稳定性；还可以避免系统升级、节约大笔开支。 | ||
| 申请公布号 | CN1851873A | 申请公布日期 | 2006.10.25 |
| 申请号 | CN200510126299.6 | 申请日期 | 2005.12.05 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 陶林 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01);H01L21/3065(2006.01);C23F1/10(2006.01) | 主分类号 | H01L21/306(2006.01) |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 向华 |
| 主权项 | 1、一种能够避免微沟槽现象的栅刻蚀工艺，包括贯穿步、主刻步和过刻步，其特征在于所述主刻步后增加基点刻蚀步。 | ||
| 地址 | 100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号 | ||