发明名称 |
存储装置以及判断存储单元的写入电流的方法 |
摘要 |
本发明提供一种存储装置以及判断存储单元的写入电流的方法。该方法包括提供第一参考电流至第一操作线以切换存储单元至第一存储状态;提供第二参考电流至跨越第一操作线的第二操作线以切换存储单元至第二存储状态;根据第一比例以及第一参考电流得到第一写入电流;根据第二比例以及第二参考电流得到第二写入电流;通过提供第一写入电流至第一操作线以及提供第二写入电流至第二操作线以编程存储单元。 |
申请公布号 |
CN1848291A |
申请公布日期 |
2006.10.18 |
申请号 |
CN200610057342.2 |
申请日期 |
2006.03.10 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
宋弘政;徐德训 |
分类号 |
G11C7/16(2006.01);G11C7/00(2006.01) |
主分类号 |
G11C7/16(2006.01) |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所 |
代理人 |
刘新宇 |
主权项 |
1.一种存储装置,包括:一第一操作线;一存储单元;一写入调整单元,用以产生代表一第一参考电流的一第一比例的一第一参数,以及产生一第一启始信号;以及一编程/擦除单元,用以根据上述第一启始信号切换上述存储单元至一第二存储状态,提供上述第一参考电流至上述第一操作线以切换上述存储单元至一第一存储状态,并根据上述第一比例以及第一参考电流提供一第一写入电流至上述第一操作线以切换上述存储单元至上述第一存储状态或第二存储状态。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 |