通过外加磁场实行数据写入的薄膜磁性体存储装置

摘要

本发明是一种通过外加磁场实行数据写入的薄膜磁性体存储装置，其中各写入字线(WWL)的一端，通过写入驱动电路(WWD)有选择地与电源电压(Vcc)连接，另一端与接地电压(Vss)连接。写入驱动电路(WWD)，在各写入字线的一端或另一端，按每1行交互配置。写入驱动电路(WWDj)具有在选择对应的存储单元行(第j行)时，为了提供数据写入电流Iww而将对应的写入字线(WWLj)与电源电压(Vcc)连接的第1晶体管(101)；在选择相邻行时，将对应的写入字线(WWLj)与电源电压(Vcc)连接的第2晶体管(102)。通过由第2晶体管(102)流过的磁场消除电流(△Iww)，消除来自相邻行的数据写入电流的泄漏磁场。

主权项

1.一种薄膜磁性体存储装置，其具备：各自具有在按照存储数据的方向被磁化的磁性体的多个磁性体存储单元被配置为行列状的存储器阵列；与存储单元行分别对应设置的多条写入字线；与存储单元列分别对应设置的多条位线；对上述存储单元列进行选择的列选择电路；用于根据列选择结果，对与所选择的磁性体存储单元对应的位线，流过按照写入数据的方向的第一数据写入电流的写入控制电路；用于根据行选择结果，来控制向上述多条写入字线的电流供给的行选择电路，其中上述写入控制电路包括连接到各位线的两端的位线驱动电路；上述位线驱动电路按照上述写入数据，分别将上述列选择电路的选择列的位线两端设定为不同的电压；上述行选择电路包括对上述存储单元行进行选择的行译码器，以及按每一个上述写入选择线设置的写入驱动电路；上述写入驱动电路向上述行译码器的选择行的写入字线与上述写入数据无关地提供一定方向的第二数据写入电流，同时向上述选择行的相邻行的写入字线，在与上述选择行的写入字线中的上述第二数据写入电流相反的方向提供比上述第二数据写入电流小的磁场消除电流，在各上述写入字线中，在相同方向提供在对应的存储单元行的选择时的上述第二数据写入电流和在上述相邻行的选择时的上述磁场消除电流。