| 摘要 |
本发明系有关于一种整合于一第一型导电性半导体基板中之功率电子装置，其包括有复数个基本单元，每一此基本单元包括：一带有第二型导电性之本体区域(40)，其系形成于此形成于此半导体基板(100)中之第一型导电性中之一半导体层(20)内；一带有此第二型导电性之行区域(50)，其系形成于此本体区域之(40)下之半导体层(20)中；此元件之特征在于，此半导体层(20)包括复数个彼此叠置之半导体层(21,22,23,24)，其中每一层之电阻系与其他层之电阻不同，同时其特征在于此行区域(50)包括复数个掺杂子区域(51,52,53,54)，每一此掺杂子区域系位于此些半导体层(21,22,23,24)之一中，其中每一此掺杂子区域(51,52,53,54)中之电荷量系平衡此每一此掺杂子区域(51,52,53,54)所在之半导体层(21,22,23,24)中之电荷量。 |
