发明名称 在制程中测量低介电常数的薄膜性质
摘要 一种决定制造基板上低介电常数薄膜的介电系数的方法与系统。此方法包含用椭圆仪测量介电常数的电子组成,用红外光谱仪测量介电常数的离子组成,用微波光谱仪测量整体介电常数,以及推导出介电常数的偶极组成。此测量方法为非接触式,并且装置在测量后还可以继续后续的制程。
申请公布号 TW200634971 申请公布日期 2006.10.01
申请号 TW095108634 申请日期 2006.03.14
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 蔡嘉祥;徐鹏富;彭宝庆;徐祖望;谢志宏;苏怡年;陶宏远
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人 蔡坤财
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号