| 主权项 |
1.一种以磷化硼为基底的半导体发光装置,其包含有:一矽单晶基板;一第一立方磷化硼基半导体层,其设于该基板之一表面上并含有双晶;一发光层,其由六方Ⅲ族氮化物半导体所组成,并设于该第一立方磷化硼基半导体层上,并具有在厚度方向上由其底部逐渐减少的磷原子浓度分布;以及一第二立方磷化硼基半导体层,其设于该发光层上,含有双晶,并具有与该第一立方磷化硼基半导体层不同的导电型式。2.如申请专利范围第1项之以磷化硼为基底的半导体发光装置,其中基板为具有(111)晶面的(111)矽单晶基板,而该第一立方磷化硼基半导体层设于该(111)晶面上。3.如申请专利范围第2项之以磷化硼为基底的半导体发光装置,其中第一立方磷化硼基半导体层具有对齐于矽单晶方向[110]的[110]方向。4.如申请专利范围第2或3项之以磷化硼为基底的半导体发光装置,其中第一立方磷化硼基半导体层包含(111)双晶,该(111)双晶具有作为双晶面的(111)晶面于与(111)矽单晶基板的(111)晶面接触的接面区中。5.如申请专利范围第1项之以磷化硼为基底的半导体发光装置,其中该第一立方磷化硼基半导体层为未蓄意添加杂质元素的未掺杂层。6.如申请专利范围第1项之以磷化硼为基底的半导体发光装置,其中发光层具有对齐于第一立方磷化硼基半导体层[110]方向的[-2110]方向,并具有作为正面的(0001)晶面。7.如申请专利范围第6项之以磷化硼为基底的半导体发光装置,其中该第二立方磷化硼基半导体层具有对齐于发光层之[-2110]方向的[110]方向。8.如申请专利范围第6或7项之以磷化硼为基底的半导体发光装置,其中该第二立方磷化硼基半导体层包含(111)双晶,该(111)双晶具有作为双晶面的(111)晶面于与发光层的(0001)晶面接触的接面区中。9.如申请专利范围第6或7项之以磷化硼为基底的半导体发光装置,其中该第二立方磷化硼基半导体层为未蓄意添加杂质元素的未掺杂层。10.如申请专利范围第1项之以磷化硼为基底的半导体发光装置,其中该第一与第二立方磷化硼基半导体层具有2.8eV或更高的室温能隙。11.如申请专利范围第1项之以磷化硼为基底的半导体发光装置,其中设有该第一与第二立方磷化硼基半导体层,以作为覆层。12.如申请专利范围第1项之以磷化硼为基底的半导体发光装置,其中设有该第二立方磷化硼基半导体层,以作为允许射自发光层的光通过而达外部的窗口层。13.如申请专利范围第1项之以磷化硼为基底的半导体发光装置,其中设有该第二立方磷化硼基半导体层,以作为允许装置工作电流扩散的电流扩散层。14.如申请专利范围第1项之以磷化硼为基底的半导体发光装置,其中设有该第二立方磷化硼基半导体层,以作为形成电极的接触层。图式简单说明:第1图为用于制造具有双异质(DH)接面结构之本发明LED的堆叠结构示意剖面图。 |
