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Ein Verfahren zur Herstellung eines Flash-Speicherbauelements, einschließlich der Schritte, bei denen (a) Bilden von Floating-Gate-Strukturen auf vorbestimmten Regionen eines Halbleitersubstrats; (b) Bilden einer dielektrischen Zwischenschicht auf einer vorbestimmten Region des Halbleitersubstrats, einschließlich der Floating-Gate-Strukturen; (c) Abscheiden einer Polysiliziumschicht für ein Steuer-Gate auf der gesamten Oberfläche; (d) Zurückätzen der Oberfläche der Polysiliziumschicht für das Steuer-Gate mittels eines chemischen Sputter-Prozesses und (e) Bilden einer Wolframschicht auf der Polysiliziumschicht für das Steuer-Gate.
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