具有提供改善的自由层偏置的Ru/Si基种子层的磁传感器

摘要

本发明涉及一种部分研磨传感器设计的具有新颖的种子层的磁致电阻传感器，当该种子层沉积在晶体结构例如AFM层上时，其允许形成在其上的偏置层具有优异的硬磁属性。该种子层结构包括交替的Ru层和Si层以及形成在其上的CrMo层。该种子层阻断下面的晶体结构的外延生长，允许形成在该种子层上的硬磁材料具有不同于下面晶体层的晶粒结构的所需晶粒结构。该种子层还耐腐蚀，为传感器提供改善的检测电流传导。

主权项

1.一种磁致电阻传感器，包括：传感器堆叠，其具有定义有效区域的第一和第二横向相对侧面，且具有延伸超出该传感器的该有效区域的第一和第二横向延伸部分，该横向延伸部分每个均具有晶体结构且具有表面；种子层，其形成在每个横向延伸部分的所述表面上，该种子层包括至少一层Ru、至少一层Si和至少一层CrMo；以及第一和第二硬磁层，其形成在反铁磁材料层的第一和第二横向延伸部分的每个之上的该种子层上。