| 主权项 |
1.一种可批次制造垂直式探针卡微孔导板之方法,包含有以下步骤:步骤1:取一非金属材料之薄板;步骤2:于该非金属薄板上布设一具备预定态样及数量开口之遮蔽层;步骤3:以非等向性蚀刻方法,于非金属材料之薄板上成型出多数个微孔。该微孔导板系提供垂直探针于侧向空间限制,使垂直探针于微孔深度方向移动,以达探测特定位置的电子元件测试点之电性目的。2.依据申请专利范围第1项所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板之方法,其中该薄板系由矽(Si)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)或铟化磷(InP)等其一材料所制成。3.依据申请专利范围第1项所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板之方法,其中该薄板系由适用于以非等向性蚀刻(Anisotropic etching)技术制作之半导体材料所制成。4.依据申请专利范围第1项所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板之方法,其中该薄板为由玻璃(Glass)或陶瓷(Ceramics)等其一材料所制成。5.依据申请专利范围第1项所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板之方法,其中该薄板系由适用于以非等向性蚀刻(Anisotropic etching)技术制作之非导体材料所制成。6.依据申请专利范围第1项所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板之方法,其中该遮蔽层系由光阻材料(Photo Resist,PR)所制成。7.依据申请专利范围第1项所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板之方法,其中该遮蔽层系藉由黄光微影技术而形成开口者。8.依据申请专利范围第1项所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板之方法,其中,于步骤3后,披覆绝缘材料于该微孔导板上。9.依据申请专利范围第6项所述可批次制造之垂直式探针卡微孔导板之方法,其中该绝缘材料为二氧化矽(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)等其中一种。10.依据申请专利范围第1项所述可批次制造之垂直式探针卡微孔导板之方法,其中,于步骤3后,披覆高分子材料于该微孔导板上。11.依据申请专利范围第8项所述可批次制造之垂直式探针卡微孔导板之方法,其中高分子材料为聚酸亚胺。12.依据申请专利范围第1项所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板之方法,其中该微孔导板可再进行切割成适用之大小。13.依据申请专利范围第1项所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板之方法,其中,步骤2更包含有以下步骤:于该薄板上沉积一蚀刻阻挡层;于该蚀刻阻挡层上,布设一具备预定态样开口之遮蔽层;利用反应性离子蚀刻蚀去位在对应该遮蔽层开口位置的蚀刻阻挡层,使该蚀刻阻挡层形成出若干对应于该开口之开孔;去除遮蔽层;其中,步骤3更包含有以下步骤:利用非等向性湿蚀刻将对应该开孔位置之薄板加以蚀去,而形成出若干之微孔;去除蚀刻阻挡层;即可得微孔导板。14.依据申请专利范围第13项所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板之方法,其中该薄板可界定出一第一面及一与该第一面相背之第二面;该薄板之第一面及第二面上分别沉积有一第一蚀刻阻挡层及一第二蚀刻阻挡层;该遮蔽层系布设于该第一蚀刻阻挡层上,该开孔系形成于该第一蚀刻阻挡层上。15.依据申请专利范围第13项所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板之方法,其中该非等向性湿蚀刻系采用氢氧化钾(KOH)、乙二胺邻苯二酚(Ethylenediamine Pyrocatechol,EDP)、四甲基氢氧化铵(Tetramethyl ammonium hydroxide,TMAH)、联胺(Hydrazine)等其一蚀刻液。16.依据申请专利范围第13项所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板之方法,其中该蚀刻阻挡层系氮化矽(Si3N4),该氮化矽层系以低压化学气相沉积(LowPressure Chemical Vapor Deposition,LPCVD)之方式所沉积而成。17.依据申请专利范围第1项所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板之方法,其中,步骤3更包含有以下步骤:利用非等向性乾蚀刻将对应该开孔位置之薄板加以蚀去,而形成出若干之微孔;即可得微孔导板。18.依据申请专利范围第17项所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板之方法,其中,步骤3更包含有以下步骤:以非等向性乾蚀刻将对应该开孔位置之薄板蚀刻出预定深度之盲孔;利用背面薄化技术研磨薄板,使其盲孔成为贯通之微孔;即可得微孔导板。19.依据申请专利范围第17项所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板之方法,其中非等向性乾蚀刻为诱导耦合电浆(Inductively Coupled Plasma,ICP)蚀刻(etching)、电浆蚀刻(Plasma etching)、离子式蚀刻(Ion beametching)、深反应性离子蚀刻(Deep Reactive Ion Etching,DRIE)、聚焦离子束蚀刻(Focus Ion Beam etching)等其一种。20.依据申请专利范围第17项所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板之方法,其中该薄板可界定出一第一面及一与该第一面相背之第二面;该遮蔽层系布设于该第一面上。21.依据申请专利范围第17项所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板之方法,其中,步骤2更包含有以下步骤:于该薄板上沉积一氧化物层;于该氧化物层上布设一具有若干呈预定态样开口之遮蔽层;以反应性离子蚀刻将位于该开口对应位置之氧化物层蚀去,使该氧化物层形成出若干与该开口相对之通孔;22.依据申请专利范围第21项所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板之方法,其中该氧化物层系由二氧化矽(SIO2)材料所制成。23.依据申请专利范围第17项所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板之方法,其中,步骤3更包含有以下步骤:利用非等向性乾蚀刻将对应于该开口位置之薄板蚀刻出预定深、宽度之盲孔;于该第一遮蔽层之顶面及该开口内面上沉积一氮化物层;于该第一遮蔽层上方布设一第二遮蔽层,且该第二遮蔽层对应该第一遮蔽层开口之位置形成有穿孔;利用反应性离子蚀刻技术,将位于该开口底部之氮化物层蚀去;利用非等向性乾蚀刻技术将位在该开口底部之薄板盲孔加深其深度;去除第一遮蔽层及第二遮蔽层;去除该氮化物层;即可得微孔导板。24.依据申请专利范围第23项所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板之方法,其中该薄板可界定出一第一面及一与该第一面相背之第二面;该薄板之第一面及第二面上分别沉积有一第一氧化物层及一第二氧化物层;该第一遮蔽层系布设于该第一氧化物层上。25.依据申请专利范围第24项所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板之方法,其中该氮化物层系以低压化学气相沉积(LPVCD)之方式沉积而成。26.依据申请专利范围第1项所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板之方法,其中,步骤2及步骤3更包含有以下步骤:该薄板可界定出一第一面及一与该第一面相背之第二面;于该薄板之第一面及第二面上分别布设一第一氧化物层及一第二氧化物层,并于该第一氧化物层及该第二氧化物层上布设一第一氮化物层及一第二氮化物层;于该第二氮化物层上布设一具有一开口之第一遮蔽层,再利用反应性离子蚀刻蚀去位在该开口内之第二氮化物层及位在该开口内之第二氧化物层;以非等向性湿蚀刻对位在该开口内之薄板进行预定深度及宽度之蚀刻去除,而形成出一凹陷区;去除该第一遮蔽层及该第一、二氮化物层;以反应性离子蚀刻蚀去部份位置之第一氧化物层,使该第一氧化物层形成出若干呈预定态样之通孔及沉孔;于该第一氧化物层上布设一第二遮蔽层,且该第二遮蔽层形成有若干与该通孔及沉孔连通之穿孔;以非等向性乾蚀刻将该通孔及沉孔内之薄板,蚀刻出具有预定之深、宽度之盲孔;去除第二遮蔽层;以非等向性乾蚀刻蚀刻位在该通孔及沉孔内之薄板,使其盲孔加深深度。去除第一氧化物层及第二氧化物层;即可得含有连结座体之微孔导板。27.一种可批次制造之垂直式探针卡微孔导板,系应用于垂直式探针卡,用以提供探针侧向的空间限制,并提供探针于微孔深度方向移动者,包含有:一非金属薄板,系利用非等向性蚀刻技术于该薄板上形成若干贯穿之微孔。28.依据申请专利范围第27项所述可批次制造之垂直式探针卡微孔导板,其中该薄板系由矽(Si)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)或铟化磷(InP)等其一材料所制成。29.依据申请专利范围第27项所述可批次制造之垂直式探针卡微孔导板,其中该薄板系由适用于以非等向性蚀刻(Anisotropic etching)技术制作之半导体材料所制成。30.依据申请专利范围第27项所述可批次制造之垂直式探针卡微孔导板,其中该薄板为由玻璃(Glass)或陶瓷(Ceramics)等其一材料所制成。31.依据申请专利范围第27项所述可批次制造之垂直式探针卡微孔导板,其中该薄板系由适用于以非等向性蚀刻(Anisotropic etching)技术制作之非导体材料所制成。32.依据申请专利范围第27项所述可批次制造之垂直式探针卡微孔导板,其中该非等向性蚀刻为非等向性湿蚀刻。33.依据申请专利范围第32项所述可批次制造之垂直式探针卡微孔导板,其中该非等向性湿蚀刻系采用氢氧化钾(KOH)、乙二胺邻苯二酚(EthylenediaminePyrocatechol,EDP)、四甲基氢氧化铵(Tetramethyl ammoniumhydroxide,TMAH)、联胺(Hydrazine)等其中一蚀刻液。34.依据申请专利范围第27项所述可批次制造之垂直式探针卡微孔导板,其中该非等向性蚀刻为非等向性乾蚀刻。35.依据申请专利范围第34项所述可批次制造之垂直式探针卡微孔导板,其中该非等向性乾蚀刻为诱导耦合电浆(Inductively Coupled Plasma,ICP)蚀刻(etching)、电浆蚀刻(Plasma etching)、离子式蚀刻(Ion beametching)、深反应性离子蚀刻(Deep Reactive Ion Etching,DRIE)、聚焦离子束蚀刻(Focus Ion Beam etching)等其中一种。36.依据申请专利范围第27项所述可批次制造之垂直式探针卡微孔导板,其中该微孔导板上披覆有绝缘材料。37.依据申请专利范围第36项所述可批次制造之垂直式探针卡微孔导板,其中该绝缘材料为二氧化矽(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)等其中一种。38.依据申请专利范围第27项所述可批次制造之垂直式探针卡微孔导板,其中该微孔导板上披覆有高分子材料。39.依据申请专利范围第38项所述可批次制造之垂直式探针卡微孔导板,其中高分子材料为聚酸亚胺。图式简单说明:第一图系一般垂直探针卡之示意图。第二图A至第二图J系本发明第一较佳实施例之制造流程示意图。第三图A至第三图H系本发明第二较佳实施例之制造流程示意图。第四图A至第四图I系本发明第三较佳实施例之制造流程示意图。第五图A至第五图L系本发明第四较佳实施例之制造流程示意图。第六图A至第六图K系本发明第五较佳实施例之制造流程示意图。 |
